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A Practical Method to Characterize Interconnect in a Fully Loaded System, and its Application to DDR3 Channel Evelyn Mintarno #1 , Steven Ji *2 # Department of Electrical Engineering, Stanford University,Stanford, CA 94309, USA 1 evemint@stanford.edu * Intel Corporation, Beaverton, OR 97006, USA 2 steven.yun.ji@intel.com 第一作者貌似还是斯坦福在读博士。 本文要解决的问题是，如何从测试一个端口获得双端口S参数。 问题的背景，很多情况下，由于结构或布局密度的限制，没法同时进行两端口测试，只能做单端口测试。作者以一块高密度的笔记本主板为例，CPU在正面，内存条可能在PCB背面，也特别说明不能同时在SODIMM上进行两端口测试（这里我也没看懂，猜测应用场景是获取CPU 到DDR DIMM连接器的S参数 ）。 所以作者希望通过三次以上的单端口S参数或TDR测试，来获取整个双端口网络的S参数。 任意源内阻和负载阻抗下，双端口网络的信号流向图如下：
输入端口的反射系数：
这里面S11可以测得，假设是线性无源系统的话，S21=S12，所以共有三个未知量，如果能改变源端或者负载端匹配，理论上可以获得整个两端口网络的S参数，多测一次更好。这里作者为了简化起见，设定了2端口短路，2端口开路，和1端口开路三种情况（有个疑问， 2端口开路和短路，其反射系数应该不同，岂不是多一个变量？）。 后面内容主要在验证该计算方法的准确性，结果是比用2D或3D EM 仿真工具提取模型，最后用SPICE 仿真的来的S参数要更乐观一些，作者认为是仿真考虑了最恶劣的情况。带宽到20GHz。 最后也使用该S参数进行时域仿真 。 论文第V部分说明如何用TDR 测试，使用类似方法获取S参数。
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发表于 2015-1-23 16:24:54
