Micron公布ReRAM最新成果，称可取代DDR SDRAM

peterlin2010 · 发表于 2014-12-26 21:51:37

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Micron公布ReRAM最新成果，称可取代DDR SDRAM

目前业界正在研制一种新型的存储芯片，就是被命名为ReRAM的电阻式内存，这种存储芯片既拥有DRAM水平的读写速度，又可以像NAND闪存那样在断电后也能保存数据，可以说是整合了两者的优点于一身。现在ReRAM芯片的研制已经初见成效，日前索尼和Micron就联手公布了他们的最新研究成果，称他们试制的产品在性能上已经非常接近理论数据。

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索尼和Micron联手公布的是一款容量为16Gb（2GB）的ReRAM芯片，据称这款芯片基于27nm CMOS工艺打造，可以用于替换现有的DDR SDRAM芯片，可用于移动设备或者是PC上。按照公布的信息称，这颗芯片的实际性能是读取900MB/s，写入180MB/s，和它读取1000MB/s、写入200MB/s的理论性能已经非常接近，进入量产、商品化的可能性很高。

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wangyukan · 发表于 2015-1-22 09:18:48

支持Micron

RRAM · 发表于 2015-2-27 15:09:13

RRAM 实用化应该是2020左右的事

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