一篇对DDR 的时序讲解得十分之精彩及详细的文章,可惜只有英文版

exclaim

感謝分享好資料~

wishness

using different grades and thicknesses of FR4. Interconnect configurations ranged from singleboard
designs to systems of two daughter cards mating to a backplane through high-speed electrical
connectors.

birdylee

thanks

syncom

謝謝分享！

qwfy007

正需要呢。谢谢！

hnunis2008

1# fluxischarge kan kan

jacksting

Micro杂志一篇比较的文章罢了

nigolaskaiqe

器，存储周期需要100ns～200ns，在每次进行存储访问时，处理器都需要等待存储器将数据准备好，或者等待数据写入成功后才能继续执行，这样CPU更多的时间是处于等待状态。高速缓冲存储器（cache）和写缓冲区（write buffer器，存储周期需要100ns～200ns，在每次进行存储访问时，处理器都需要等待存储器将数据准备好，或者等待数据写入成功后才能继续执行，这样CPU更多的时间是处于等待状态。高速缓冲存储器（cache）和写缓冲区（write buffer器，存储周期需要100ns～200ns，在每次进行存储访问时，处理器都需要等待存储器将数据准备好，或者等待数据写入成功后才能继续执行，这样CPU更多的时间是处于等待状态。高速缓冲存储器（cache）和写缓冲区（write buffer

active763

thanks!

jmgao2

good,look