科锐SiC功率MOSFET协助Delta开发电源供应器

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科锐公司(Cree)宣布新扩展的1,200 V碳化矽(SiC)功率 MOSFET 产品组合，将被纳入 Delta Elektronika BV 公司最先进的电源供应器中。Delta Elektronika展示与采用传统矽晶技术设计电源供应器相较，整体电源损耗减少21%及元件数量减少达45%的新电源供应器。
Delta Elektronika BV总裁Job Koopmann表示：「我们很高兴在系列产品中采用科锐新型的碳化矽电晶体。它能够同时提升效率和产品的功率密度，在切换效率的表现上也相当出色，控制 MOSFET 亦简单容易。这种元件可协助我们继续开发更多可靠的产品，满足客户的期望。」

总部设于荷兰的Delta Elektronika BV是生产高可靠度及高品质电源供应器的供应商，提供一系列的产业应用如工厂用的专业设备、汽车和产业电源转换等。由于在最新的电源供应器系列中采用科锐先进的第二代碳化矽功率 MOSEFET ，Delta Elektronika BV可为业界配置并提供高可靠度的先进技术。

科锐功率元件与射频产品部门总经理Cengiz Balkas表示：「我们很高兴Delta Elektronika BV成为众多采用我们最新一代碳化矽功率 MOSFET 产品的其中一家企业。Delta Elektronika BV拥有超过半世纪生产市场上其中一些最可靠、高效率和小型的电源供应器的历史和传统。重视效率、可靠性和功率密度的产业电源供应器市场，对碳化矽功率 MOSFET 技术而言是一个重要市场。我们新的第二代碳化矽功率MOSFET产品组合获得市场热烈的欢迎，当中包括了用于5-10 kW市场的160 m-Ohm MOSFET产品。」

科锐于2013年3月发表的第二代碳化矽功率 MOSFET ，得到整个电力产业的支援，并且在数个重要的应用上获得采用的次数变得愈来愈多，其中一家大型制造商正评估并将该解决方案应用于其下一代高效率太阳能转换器(PV inverter)产品设计中。

在拥有碳化矽技术的前提下，电源供应器制造商能减少元件数量、协助提升可靠度，同时维持或提高电源供应器的效率。提升功率密度也会导致尺寸、重量、体积等方面的减少，在某些情况下甚至可以降低电源供应器的成本。对比采用传统矽技术设计生产的标准电源供应器，碳化矽已被证明是可实现两倍以上功率密度的技术。