三星芯片将掀存储革命 手机可扩容384GB

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北京时间8月8日消息，据科技网站9to5Google报道，三星周二宣布量产全球首款3D垂直设计的NADA闪存芯片V-NAND（Vertical NAND），这种芯片有望将未来的智能手机存储容量提升至384GB。

                               
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三星V-NAND闪存芯片（图片来自9to5Google）

据悉，三星V-NAND闪存芯片采用3D电荷捕获闪存（CTF）技术和垂直互连工艺技术，单芯片容量高达128Gb（16GB），3D堆栈式结构设计可最高叠到24层，总容量高达384GB，而厚度却与现有的闪存芯片相差无几，传输速度也提高了2倍以上，最大使用次数也提高了2倍至10倍以上。

三星表示，V-NAND闪存芯片将被广泛用于消费电子和企业应用，包括嵌入式NAND存储和固态硬盘（SSD），虽然384GB的智能手机短期内不大可能出现，但成本更低的TB级固态硬盘有望即将问世。