关于用sentaurus仿真SiGe 应变器件的问题

zbhit

请教：关于用sentaurus仿真SiGe 应变器件的问题？？
我用devise工具复现文献中的SiGe 应变器件，并用sdevice工具进行仿真，仿真脚本如下：
File {
        Grid= "SiGe_NMOS_msh.grd"
     Doping  = "SiGe_NMOS_msh.dat"
     Current    = "SiGe_NMOS_msh.plt"
     Plot    = "SiGe_NMOS_msh.dat"
         Parameter = "SiGe_material.par"
         Piezo="SiGe_NMOS_msh.dat"
}

Electrode {
        { Name="C_SourceN"       Voltage=0 }
      { Name="C_SubstrateN"       Voltage=0 }
        { Name="C_GateN"      Voltage=1.0}
     { Name="C_DrainN"        Voltage=0 }
}


      

Physics{
   Temperature=300
   *eQCvanDort
   *hQCvanDort
   eQuantumPotential
   *hQuantumPotential
   *EffectiveIntrinsicDensity( BandGapNarrowing ( BennettWilson ))  
   EffectiveIntrinsicDensity(  Slotboom )
   *EffectiveIntrinsicDensity( NoBandGapNarrowing )
   *EffectiveIntrinsicDensity( BandGapNarrowing ( delAlamo ))  
   *-- BennettWilson,delAlamo, OldSlotboom, and Slotboom   
   Mobility(
      *--carrier mobility degradation due to doping concertration
      DopingDependence   
      PhuMob
      *--velocity saturation within high field regions
      *HighFieldSaturation
      eHighFieldSaturation( GradQuasiFermi )
      *hHighFieldSaturation( GradQuasiFermi )
      Enormal(Lombardi)
      *--mobility degradation due to surface roughness scattering
      *Enormal  
   )
   Recombination(
      SRH( DopingDependence Tunneling )
      *SRH( DopingDependence )
      *Band2Band(Hurkx)
      *SRH( ElectricField ( Lifetime = Hurkx DensityCorrection =None ))
      *SRH
      Auger
   )
      
}





Physics ( Material= "SiliconGermanium" ) {
    MoleFraction  (RegionName=["Channel.stress.GeSiN"]   xFraction = 0.9 Grading = 0.0 )
        Piezo(
         Model(
            Mobility(
               eSubband(Egley)
               hSixband(Doping)
            )
         )
       )        
   
}

Plot{
*--Density and Currents, etc
   eDensity hDensity
   TotalCurrent/Vector eCurrent/Vector hCurrent/Vector
   eMobility hMobility
   eVelocity hVelocity
   eQuasiFermi hQuasiFermi

*--Fields and charges
   ElectricField/Vector Potential SpaceCharge

*--Doping Profiles
   Doping DonorConcentration AcceptorConcentration

*--Generation/Recombination
   SRH Band2Band * Auger
   * AvalancheGeneration eAvalancheGeneration hAvalancheGeneration

*--Driving forces
   eGradQuasiFermi/Vector hGradQuasiFermi/Vector
   eEparallel hEparallel eENormal hENormal

*--Band structure/Composition
   BandGap
   BandGapNarrowing
   Affinity
   ConductionBand ValenceBand
   eQuantumPotential hQuantumPotential

*--Gate Tunneling
   * eBarrierTunneling hBarrierTunneling  BarrierTunneling
   * eDirectTunnel hDirectTunnel
   xMoleFraction
}

Math {
   Extrapolate
   * Avalderivatives
   RelErrControl
   Digits=5
   *-CheckUndefinedModels
   Notdamped=50
   Iterations=20
   DirectCurrent
   * NoSRHperPotential
}

Solve {
#- Creating initial guess:
   Coupled(Iterations=100 LineSearchDamping=1e-4){ Poisson }
   Coupled { Poisson Electron hole }

#- Vg sweep
   NewCurrentFile="IdVd_"
   Quasistationary(
      DoZero
      InitialStep=5e-3 Increment=1.5
      MinStep=5e-5 MaxStep=0.5
      Goal { Name="C_DrainN" Voltage=2.5}
   ){ Coupled { Poisson  Electron hole}
      CurrentPlot( Time=(Range=(0 1) Intervals=20)  )
   }
}

仿真结果与传统的Si器件（尺寸和摻杂与都相同）相比，在相同的栅电压的条件下，SiGe的漏电流还比Si小。
请教：各位前辈，问题出现在什么地方？已经快一个月了？还是没有解决！！！
非常感谢！！！！！！

zbhit

一般情况下，SiGe的漏电流应该比Si要大才是对的！！！！

azaki3k

i tried to simulate SiGe Mos capacitor in silvaco but it didn't give accurate results ... is sentaurus better than silvaco in this respect?

snobi

应该和软件没有关系。
材料变化了，要分析机理及所用模型是否正确，Sige器件没有仿过，物理模型看你是有加，但你仿的是SiGe的什么样结构器件？
另外从你的cmd文件来看， "SiGe_material.par" 参数不知道都修改成什么样子？是否确认正确了？

snobi

另外问下，用的是哪个版本？自己D仿真的还是？