关于Sentaurus sprocess对于Deep Trench Epi的问题

yuchao8604

各位大神：

      本人正在学习PowerMOS的一些工艺模拟，在做Deep Trench Doped Poly Epi的时候发现模拟运算速度非常之慢（由于沟槽比较深10分钟只能运算到1e-5s的Epi Profile），目前尝试过将Epi工艺换成deposition，但是deposition貌似不能做本位掺杂，填充的Poly均为Undoped Poly，不知道各位有什么比较好的办法可以解决该问题？

      非常感谢！