GLOBALFOUNDRIES发布14nm工艺，2014年开始量产

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美国晶圆代工巨头GLOBALFOUNDRIES于2012年9月20日发布了用于移动终端等配备的14nm级SoC（System on a Chip）的工艺“14XM（eXtreme Mobility）”（英文发布资料）。将采用三维构造的Fin FET取代20nm级之前的平面构造MOS晶体管。采用14nm工艺的客户产品预定在2013年送厂生产（tape-out），2014年开始量产。

http://laoyaoba.com/ss6/batch.download.php?aid=207111
预定加快微细化速度，2014年开始量产
　　14nm工艺以20nm低功耗工艺（20LPM）为基础进行开发。在沿用高介电常数（high-k）栅极绝缘膜和金属栅极技术以及布线技术的同时，引进了可实现高速节能的Fin FET。据介绍，与20nm低功耗工艺相比，在电源电压相同的条件下，14nm工艺可将晶体管的工作速度提高20～55％，在工作速度相同的条件下，可将配备14nm SoC的终端电池寿命延长40～60％。

　　目前，GLOBALFOUNDRIES正在美国纽约州的新工厂“Fab8”试制采用14nm工艺的芯片。据悉，可供应初期的工艺设计套件（PDKs，Process Design Kits）。另外，预定2012年下半年开始提供20nm工艺。（记者：大下 淳一，《日经电子》）

  

                               
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以20nm低功耗工艺为基础进行开发（点击放大）      

                               
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    有利于实现高速节能（点击放大）