习题解答for razavi模拟cmos集成电路设计(每题都带书签),大小精简到13.5M,希望加精!

aiuo

怎么不能下啊,郁闷...

aiuo

要要要要

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第三篇 题解 半导体中载流子的统计分布 刘诺 编 3-1、证明：设nn为n型半导体的电子浓度，ni为本征半导体的电子浓度。 显然 nn> ni 即 得证。 3-2、解： (1) 在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，则跃迁所需的能量越小，所以受激发的载流子浓度随着禁带宽度的变窄而增加。 由公式 也可知道，温度不变而减少本征材料的禁带宽度，上式中的指数项将因此而增加，从而使得载流子浓度因此而增加。 （2）对一定的材料，当掺杂浓度一定时，温度越高，受激发的载流子将因此而增加。由公式 可知， 这时两式中的指数项将因此而增加，从而导致载流子浓度增加。 3-3、解：由 得 可见， 又因为 ，则 假如再在其中都掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质，那么将出现杂质补偿，第一种半导体补偿后将变为p型半导体，第二种半导体补偿后将近似为本征半导体。 答：第一种半导体中的空穴的浓度为1.1x1010cm-3,费米能级在价带上方0.234eV处；第一种半导体中的空穴的浓度为3.3x103cm-3,费米能级在价带上方0.331eV处。掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质后，第一种半导体补偿后将变为p型半导体，第二种半导体补偿后将近似为本征半导体。 3-4、解：由于杂质基本全电离，杂质补偿之后，有效施主浓度 则300K时， 电子浓度 空穴浓度 费米能级 在400K时，根据电中性条件 和 得到 费米能级 答：300K时此材料的电子浓度和空穴浓度分别为7.25 x1017cm-3和3.11x102cm-3，费米能级在价带上方0.3896eV处；400 K时此材料的电子浓度和空穴浓度分别近似为为7.248 x1017cm-3和1.3795x108cm-3，费米能级在价带上方0.08196eV处。 3-5、解： 假设载流子的有效质量近似不变，则 所以，由 ，有 答：77K下载流子浓度约为1.159×10-80cm-3，300 K下载流子浓度约为3.5×109cm-3，500K下载流子浓度约为1.669×1014cm-3。 3-6、解：在300K时，因为ND>10ni，因此杂质全电离 n0=ND≈4.5×1016cm-3 答： 300K时样品中的的电子浓度和空穴浓度分别是4.5×1016cm-3和5.0×103cm-3。 3-7、解：由于半导体是非简并半导体，所以有电中性条件 n0=ND+ 答：ND为二倍NC。

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thanks for sharing !

aiuo

穷人啊!!

aiuo

模拟CMOS集成电路设计

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模拟CMOS集成电路设计

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模拟CMOS集成电路设计

aiuo

不容易啊!