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比而盖之

Tezzaron公司的SRAM电流型的SRAM,他比电压型的速度快了很多,采用的是3T-iRAM™的专利技术,这独一无二3T-iRAM™的技术也读写时的零延时.

Tezzaron公司的SRAM提供高密度大容量的存储器,普通的存储器是由六个三极管组成一位,而3T-iRAM™是由3三极管组成一位,减少了50%的空间,增大了一倍的容量

3T-iRAM™目前主要分为三大类:
1)  72M位的普通速度NoBL的SRAM(流水线型)完全兼容,速度250M.高可靠性,低电压操作
2)  72M位高速的NoBL的SRAM(流水线型)速度500M.
3)  72M位高效防错性NoBL的SRAM(流水线型) 内部ECC,刷新和错误报告

72M位的普通速度NoBL的SRAM(流水线型) TSC2L72T18/36/72

特点:

独特3T-iRAM防错技术

NoBL,读写转换没有延时
跟流水线的NtRAM™, NoBL™ and ZBT™ 完全兼容

内核的供电电压2.5V,+10%.I/O的承受电压1.8V或2.5V

内有可选择的强大的驱动

完全一样的IEEE 1149.1边界扫描可以选择直线的或隔行的迸发模式

管脚兼容(2/4/9/18/36Mb)

字节操作(9BIT)

3根片选信号,方便深度扩张

在掉电状态ZZ脚高阻态

标准的119/165/209球状封装

3T-iRAM™是独特的动态存储器, Tezzaron已经处理成为与SRAM一样的截面和时序, 3T-iRAM™独特的设计,其软件纠错能力比同等容量的SRAM提高了10倍;

TSC2L72T18/36/72是如同ZBT, NtRAM, NoBL的一样的同步SRAM,在读到写的过程,有效的克服了2个周期的死周期,提高了总线的使用率和带宽;

和所有的同步SRAM一样,地址,数据,读/写命令在CLK的上升沿所定,在电源到正常时,才能控制迸发模式的命令,不同步的输入,包括睡眠模式的使能和输出模式的使能,输出使能可以随意关闭同步的输出.在CLK的上升时,写周期可以自动关闭和开始,这样避免了片选的写脉冲的发生装置,简化的输入信号的时序.

TSC2L72T18/36/72是流水线型的存储器,上升沿出发输出寄存器在读的周期内,数据存储在触发储存寄存器内,释放出来在下一个上升沿

72M位高速的Nobl的SRAM(流水线型) TSC2X72T18/36/72

特点

速度高达500M

独特3T-iRAM防错技术

NoBL,读写读转换零延时

跟流水线的NtRAM™, NoBL™ and ZBT™ 完全兼容

内核的供电电压2.5V,+10%.I/O的承受电压1.8V或2.5V

内有可选择的速度加速器

完全一样的IEEE 1149.1边界扫描

可以选择直线的或隔行的迸发模式

管脚兼容(2/4/9/18/36Mb)

字节操作(9BIT)

3根片选信号,方便深度扩张

在掉电状态ZZ脚高阻态

标准的119/165/209球状封装

3T-iRAM™是独特的动态存储器, Tezzaron已经处理成为与SRAM一样的截面和时序, 3T-iRAM™独特的设计,其软件纠错能力比同等容量的SRAM提高了10倍;

TSC2X72T18/36/72是如同ZBT, NtRAM, NoBL的一样的同步SRAM,在读到写的过程,有效的克服了2个周期的死周期,提高了总线的使用率和带宽

和所有的同步SRAM一样,地址,数据,读/写命令在CLK的上升沿所定,在电源到正常时,才能控制迸发模式的命令,不同步的输入,包括睡眠模式的使能和输出模式的使能,输出使能可以随意关闭同步的输出.在CLK的上升时,写周期可以自动关闭和开始,这样避免了片选的写脉冲的发生装置,简化的输入信号的时序.

TSC2X72T18/36/72是流水线型的存储器,上升沿出发输出寄存器在读的周期内,数据存储在触发储存寄存器内,释放出来在下一个上升沿

72M位错误校正的Nobl的SRAM(流水线型) TSC2E72T18/36/72

特点：

独特3T-iRAM防错技术

多层次的数据保护(内部ECC,周期刷新和错误报告)

NoBL,读写读转换零延时

跟流水线的NtRAM™, NoBL™ and ZBT™ 完全兼容

内核的供电电压2.5V,+10%.I/O的承受电压1.8V或2.5V

内有可选择的速度加速器

完全一样的IEEE 1149.1边界扫描

可以选择直线的或隔行的迸发模式

管脚兼容(2/4/9/18/36Mb)

字节操作(9BIT)

3根片选信号,方便深度扩张

在掉电状态ZZ脚高阻态

标准的119/165/209球状封装

T-iRAM™是独特的动态存储器, Tezzaron已经处理成为与SRAM一样的截面和时序, 3T-iRAM™独特的设计,其软件纠错能力比同等容量的SRAM提高了10倍,增加的多层次的数据保护,数据出错率比普通SRAM低100倍, 多层次的数据保护提供了周期错误刷洗和ECC报告

TSC2E72T18/36/72是如同ZBT, NtRAM, NoBL的一样的同步SRAM,在读到写的过程,有效的克服了2个周期的死周期,提高了总线的使用率和带宽

和所有的同步SRAM一样,地址,数据,读/写命令在CLK的上升沿所定,在电源到正常时,才能控制迸发模式的命令,不同步的输入,包括睡眠模式的使能和输出模式的使能,输出使能可以随意关闭同步的输出.在CLK的上升时,写周期可以自动关闭和开始,这样避免了片选的写脉冲的发生装置,简化的输入信号的时序.

TSC2E72T18/36/72是流水线型的存储器,上升沿出发输出寄存器在读的周期内,数据存储在触发储存寄存器内,释放出来在
jiawei863@yahoo.com

zyfwh

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michael_xue

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说的似乎蛮不错地