关于功率mos的开关损耗问题

duxingxialulu · 发表于 2009-4-17 22:03:13

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在负载较轻时，mos管的开关时间大概在15ns，导致效率很低，请问有什么提高效率的好办法吗？

votalin · 发表于 2009-7-9 00:29:30

15ns的启动时间不是很快了?要不就降低驱动电压试试

batnet · 发表于 2009-7-9 05:26:47

是什么样的应用呢？15ns不算太慢。。是同步管有shot through导致效率低？那样的话可以引入一点deadtime。还是仅仅drain上的电容太大，或者别的什么原因？

KK_TD · 发表于 2009-9-4 21:18:35

15ns是开关频率么?应该是特别的快了，是做射频应用吧。应该是用的RF LDMOS之类吧，VDMOS应该说在Mhz量级就是比较快的开关电源了。

love_ic · 发表于 2009-9-4 21:54:38

原帖由 duxingxialulu 于 2009-4-17 22:03 发表

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在负载较轻时，mos管的开关时间大概在15ns，导致效率很低，请问有什么提高效率的好办法吗？

你指的是Die Time吧，能否把曲线给程上来！

angryheart · 发表于 2009-9-10 06:56:17

效率低不见得就是mos的开关损耗大吧
你什么电路形式？

zergli1983 · 发表于 2009-9-10 08:50:21

意思是在轻载的时候MOS开关时间占空比太小,然后会影响到效率?
现在ZVC的话还好吧.Toff时间可变就好了.用FLYBACK.

coolwater · 发表于 2009-9-15 17:51:06

PFM.....

dayikimo · 发表于 2009-9-17 23:33:42

假設IC或是系統設計都完美時
1.如果你有重載與輕載的需求, 那就於輕載時降頻即可

2.如果只有輕載的需求, 那就用PFM mode或是直接降頻

假如懷疑設計不良
如果是因為dead time不夠長, 造成short through的電流, 那輕重載都會發現的, 只是重載影響較小, 請先澄清是否這個問題

懷疑dead time太短, 驗證方法可以用Cgate較小的Power MOS上去就可以知道了, 或是gate如果有接限流電阻換小一點的就可以知道了

ytyash2 · 发表于 2009-9-22 08:03:12

1. 查下deadtime, 确认没有shoot-through
2. 观察下SW node的波形，看看peak有没有clamp (平顶)，如果有，可能是Q2 breakdown或者Q2的Cdv/dt. 前者需要换FET或者多加点input bypass MLCC，后者可以把drive voltage提高试试看。
3. 如果都没有，可以把gate drive voltage降低点看看。有时候FET用得太大，降低drive voltage可以降低gate charge loss。
4. 如果还不行，降低开关频率或者换controller with DCM function。

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