[转帖]基于S3C4510B的系统的Flash擦除与烧写问题（一）

baonng

基于S3C4510B的系统的Flash擦除与烧写问题（一）
最近看到很多朋友在设计基于S3C4510B的系统时，碰到了Flash不能正确烧写或擦除的问题，下面根据我的理解对这个问题的作一个说明，以期抛砖引玉：
    不同于其他的arm处理器（如44B0），S3C4510B的每一个bank的地址都是可以通过重映射改变的，因此，系统的存储器，无论是Flash还是SDRAM，其起始地址都不是固定的，而对Flash的擦除，必须知道它的起始地址，否则就不能正确操作，这就是为什么很多朋友不能正确擦除Flash的原因。
    以一般的系统设计为例，Flash使用2M、4M或8M，16位数据宽度，对应到Flash/ROM/SRAM的Bank0，SDRAM采用两片16位宽度的器件，并联构成32位的SDRAM存储器系统，对应到SDRAM的Bank0，那么，在Flash的内容为空时，当系统上电或复位后，能直接访问到的只有特殊功能寄存器（SFR）对应的Bank（其首地址为0x3FF0000），和Flash/ROM/SRAM的Bank0（其首地址为0x0），而SDRAM此时是访问不到的。
   此时，如果我们想对Flash进行编程或擦除操作，该怎么办呢？
   显然，要对Flash进行编程或擦除操作，必须通过编程完成，而程序此时只能在SDRAM中运行（如果程序不太大，也可放在S3C4510B片内的SRAM中运行。），所以，我们要做的第一步，就是通过配置相应的特殊功能寄存器，将SDRAM映射出来，使其可以被访问到。
   下面是我的一个特殊功能寄存器配置文件，名为：mymap.txt，放在C盘根目录下。
      setmem 0x3ff0000,0xE7ffff90,32
      setmem 0x3ff3010,0x00003002,32  
      setmem 0x3ff3014,0x02000060,32
      setmem 0x3ff302c,0x14010380,32
      setmem 0x3ff303c,0xce338360,32
   我使用的硬件是2MB的Flash，16MB的SDRAM。在ADS中打开命令窗口，执行如下命令：
     >obey c:\mymap.txt
   此时，2MB的Flash存储器和16MB的SDRAM已分别映射到地址空间的0x0000,0000～（0x0020,0000-1）和0x0040,0000～（0x0140,0000-1）处。
   编写一个Flash的擦除程序，由Init.s文件和Main.c文件构成。
   Init.s文件的代码如下：
         IMPORT Main
AREA    Init,CODE,READONLY
ENTRY
BL Main
B .
END
   
    Main.c文件的代码如下：
#define UINT16 unsigned short
#define AM_START_ADDR          0x0        //此处为Flash的起始地址，设为0
#define AM_ADDR_UNLOCK1        0x555
#define AM_ADDR_UNLOCK2        0x2aa
#define AM_DATA_UNLOCK1        0xaaaa
#define AM_DATA_UNLOCK2        0x5555
#define AM_SETUP_WRITE         0xa0a0
#define AM_SETUP_ERASE         0x8080
#define AM_CHIP_ERASE          0x1010
#define AM_SECTOR_ERASE     0x3030
#define AM_RESET     0xf0f0
int Main()
{
         *((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR+ AM_ADDR_UNLOCK1) = AM_DATA_UNLOCK1;      
*((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR+ AM_ADDR_UNLOCK2) = AM_DATA_UNLOCK2;
*((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR+ AM_ADDR_UNLOCK1) = AM_SETUP_ERASE;     
     *((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR+ AM_ADDR_UNLOCK1) = AM_DATA_UNLOCK1;      
*((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR+ AM_ADDR_UNLOCK2) = AM_DATA_UNLOCK2;
   *((volatile UINT16 *)AM_START_ADDR+ AM_ADDR_UNLOCK1) = AM_CHIP_ERASE;
return(0);
}
注：系统使用的Flash为29LV160B，其他型号的Flash，命令字有一些区别。
    系统使用的SDARM为HY57641620B
     建立一个工程文件，包含以上两个文件。
     由于要将该擦除程序放在SDRAM中运行，而根据前面的映射，SDRAM的起始地址为0x0040,0000，所以要修改连接器的选项，将代码的装入地址改为0x400000（默认为0x8000）。
    编译生成可执行映象文件，装入系统的SDRAM（0x0040,0000处）运行，就可擦除Flash。

    您瞧，Flash的擦除多么简单。
    但是，当Flash中已有一个程序在运行时，情况就不太一样了。
    当Flash中有程序运行时，一般都要将系统的存储器由初始化状态进行重映射，常用的方式是将SDARM映射到0x0处，而Flash则被映射到其他地方去了（如uClinux运行时，Flash被重映射到0x100,0000处），此时Flash的首地址也就不再是0x0了，再用以上的程序去擦除，显然就不能成功。
    怎么办？？？
    要原封不动的使用上面的程序，只有将Flash的首地址再映射回0x0。
    打开ADS的命令窗口，执行如下命令：
     >obey c:\mymap.txt
   此时Flash被我们搬回了0x0处，SDRAM被搬回0x40,0000处，运行上述程序，Flash被擦除。
一点小注意：
   有时，Flash中原来的程序初始化了很多中断，而我们的擦除程序为简洁，对中断未作处理，可能会出现当我们装入程序到SDRAM中运行时，一开始就跑飞，这是因为产生了中断。
   在运行之前，先将0x3ff4008(中断屏蔽寄存器)的值改为0x3fffff，屏蔽所有的中断，然后运行，就好了。
     以上是一个最简单的思路，有点班门弄斧，请大家跟贴指正。
     下一部分讨论Flash的烧写。

yangtch

好东西！