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finger对LDO的影响(求助)

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发表于 2009-1-6 17:25:13 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我这几天测试LDO的transient response (如load current 从0mA到50mA,有1us的rising time, 然后测试输出电压) 。其中有个结果是输出电压的variation差不多是稳定时候的7%。

可是我的导师叫我试试可不可以further improve电压的spike(就是variation)到5%以下。这个试验中pass transistor 的 aspect ratio已经调到允许的最大值了,所以他建议我在pass transistor的finger上下功夫。我上网找了半天也没有找到finger的具体作用以及对MOSFET的影响的资料(只是知道增加finger可以减少W的长度之类)。本人新手,希望有大侠指点一下,谢谢!
发表于 2009-1-13 02:59:17 | 显示全部楼层
How about this idea?

Try to generate a voltage about 1.05 times of your reference voltage.
And by compare the feedback voltage from voltage dividor with it by comparator.
Once the reference voltage is larger than 1.05 times of reference voltae,
You could get a "High" signal to trigger a sink NMOS switch to reduce the current  directly to the loading.
Such would reduce the transient variation.

Of course,  once the transient has been settled down,
the NMOS switch would be turned off and the feedback loop would be go back to orignal status.

You could try this.
发表于 2009-1-13 16:43:05 | 显示全部楼层
增加finger可以减小源漏的面积,源漏面积最大可降低为没有finger管子的1/2,同时可减小有关源漏的寄生电容。加finger的另一个好处是可以减小栅poly的电阻。
发表于 2009-1-16 14:01:05 | 显示全部楼层

.

支持楼主!顶一个

























                               
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走自己的路!!问道遥控蝴蝶西游q记推广斗地主卓越亚马逊
发表于 2009-1-19 15:28:33 | 显示全部楼层
我也想知道
发表于 2009-1-21 01:31:38 | 显示全部楼层
請問你的LDO需要負載電容才能穩定嗎
如果有的話可以考慮試試ESR較小的電容 不過前提是系統仍然是穩定的
一樓說的  加個NMOS來抽電流也是不錯的選擇 不過靜態電流會增加
用finger 來畫POWER MOS我也不了解 不過如果能減少POWER MOS閘極的寄生電容 應該能改善
发表于 2009-1-22 17:01:18 | 显示全部楼层
发表于 2009-2-4 21:41:42 | 显示全部楼层
也见过用菱形的,不过跟finger到底哪个好,俺也说不清楚
头像被屏蔽
发表于 2009-2-6 04:08:55 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
发表于 2009-2-9 16:28:57 | 显示全部楼层


原帖由 fullspectrum 于 2009-1-13 02:59 发表
How about this idea?

Try to generate a voltage about 1.05 times of your reference voltage.
And by compare the feedback voltage from voltage dividor with it by comparator.
Once the reference volta ...



Good Idea!!!
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