功率 MOSFET IPP032N06N3G 6V49205BNLGI8 STM32H563IIT3Q高性能 MCU

mjd888

IPP032N06N3G - N 沟道功率 MOSFET
IPP032N06N3G OptiMOS ™ 60V 是服务器、台式机和平板电脑充电器等开关模式电源 (SMPS) 中同步整流的完美选择。此外，这些设备还可用于广泛的工业应用，包括电机控制、太阳能微型逆变器和快速开关 DC-DC 转换器。

产品型号：
IPP032N06N3G

特性
电荷 x RDS(on)乘积 (FOM)
低导通电阻 RDS(on)
快速开关应用的理想选择
符合 RoHS 标准 - 无卤素
MSL1 级

产品优势
最高的系统效率
更少的并联需求
更高的功率密度
降低系统成本
极低的电压过冲

明佳达 星际金华供应全新：功率 MOSFET IPP032N06N3G 6V49205BNLGI8 STM32H563IIT3Q高性能 MCU
6V49205BNLGI8是一款时钟发生器，专为基于飞思卡尔P10xx和P20xx处理器的系统设计。‌该器件作为主时钟源，集成了多种功能以简化电路板设计。
特性
其核心特性包括可选的系统CCB时钟和两种DDRCLK速度（100MHz或66.66MHz），支持LP-HCSLPCIe输出，有助于降低功耗并减少PCB空间占用。‌6V49205BNLGI8采用先进的3.3V CMOS工艺，工作温度范围覆盖工业标准（-40°C至+85°C），并支持独立扩频功能。‌

封装和应用
6V49205BNLGI8采用UFQFPN-48封装（7x7毫米，引脚间距0.5毫米），引脚排列为四边形布局。‌该器件能够替代多个分立组件（如晶体、振荡器和时钟发生器），从而降低系统成本、功耗和板级面积。‌
6V49205BNLGI8主要应用领域包括P10xx和P20xx系列处理器的嵌入式系统设计。


STM32H563IIT3Q是STM32H5系列高性能微控制器的具体型号，基于Arm® Cortex®-M33内核，运行频率可达250 MHz，集成浮点运算单元（FPU）和存储器保护单元（MPU），支持Arm® TrustZone®安全扩展。‌
该器件采用LQFP64封装，工作电压范围为1.71 V至3.6 V，工作温度范围为-40 °C至+85 °C（结温+130 °C）。‌
内嵌存储器包括1 MB Flash存储器（支持双Bank读写和ECC校验）和256 KB SRAM（其中部分带ECC保护），此外还提供4 KB备份SRAM用于低功耗模式。‌

STM32H563IIT3Q的外设资源丰富，包括：
‌通信接口‌：最多4个I²C、6个USART/UART、6个SPI、2个SAI、1个以太网MAC（仅STM32H563xx提供）、USB 2.0全速接口等。‌
‌定时器‌：多达18个16位定时器（含低功耗模式可用的6个）、2个32位定时器，以及2个看门狗定时器。‌
‌模拟功能‌：2个12位ADC（最高5 Msps）、1个双通道12位DAC，支持数字温度传感器。‌
‌安全特性‌：集成硬件加速器（如HASH、真随机数发生器）、主动篡改检测、读写保护机制，以及安全固件升级功能，符合PCI安全要求。‌

应用场景
STM32H563IIT3Q支持多种节电模式（睡眠、停止、待机），并提供独立模拟电源、USB专用电源等供电选项，适用于工业控制、物联网设备、医疗仪器等低功耗场景。‌