关于RAZAVI 书P374 的一点疑惑

intercon · 发表于 2008-8-5 17:56:18

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在该书P374（中文版）段2，有段论述“工作在线性区的MOSFET，如果漏源电压保持恒定，可以提供线性的ID/ VGS特性”
我觉得这种说法比较牵强，只有在深度线性时，VDS很小，有 ID=1/2 K W/L [VGS-VTH] VDS，才会有线性关系，
我们在实际应用中如何在不使用反馈的情况下获得较好线性的ID/ VGS特性呢，使用短沟管改变饱和区的平方律特性？或采用
二极管负载可得到好的输入输出特性？大家都来说两句吧

hvpower · 发表于 2008-8-5 19:14:12

线性区的公式

ID = K((VGS-VTH)VDS-1/2VDS^2)

当VDS 一定下不考虑沟道调下
ID是和VGS线性关系

intercon · 发表于 2008-8-6 01:25:46

那么这个VDS 究竟在多大的范围内可以忽略其作用呢

zaitian80 · 发表于 2008-8-6 12:02:10

最普通的带尾电流的差分对就提供了这个模型啊
当然输入动态范围很小

intercon · 发表于 2008-8-6 13:56:09

这个我当然知道，我是想大家探讨一下有无提高 ID / VGS 的非主流方法

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