tsmc40nm深阱nmos和pmos的衬底的接法

lizx123 · 发表于 2024-12-30 13:18:45

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上图为深阱nmos的版图，在深阱中画了一圈psub的guarding用来接衬底电位，最外边添加了一个nwell的guarding接VDD，
做lvs时结果如下所示，请问这种解法是正确的吗，为什么会报这种错误呢。谢谢大家！

我是噪声 · 发表于 2024-12-30 14:57:35

设计文档里有剖面图，看完要还是不清楚的话，就截图发这里看看

光非 · 发表于 2024-12-30 15:20:14

以 NWELL 环的外圈 NW 全部盖上 DNW

浮白载笔的夜晚 · 发表于 2025-12-15 10:09:51

我是噪声发表于 2024-12-30 14:57
设计文档里有剖面图，看完要还是不清楚的话，就截图发这里看看

请问这个设计文档在哪里找，DOC里面文件太多了

Mr_Flow3r · 发表于 2025-12-16 16:09:40

nw环需要被dnw完全覆盖才能给他接上vdd的

我是噪声 · 发表于 5 天前

浮白载笔的夜晚发表于 2025-12-15 10:09
请问这个设计文档在哪里找，DOC里面文件太多了

PDK里没有design manual吗或者layout相关的文档？linux的话，看看pdk目录下边有没有document目录

浮白载笔的夜晚 · 发表于 4 天前

我是噪声发表于 2025-12-20 10:36
PDK里没有design manual吗或者layout相关的文档？linux的话，看看pdk目录下边有没有document目录
...

好的好的，谢谢

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