关于ESD 窗口的一个疑问

凌一五八 · 发表于 2024-12-23 09:25:27

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我们在设计ESD窗口的时候，窗口的下限一般是VDD*1.5这样。也经常看到好些IO pad大多使用Diode作为一级防护结构，但单看Diode的ESD性能，其Vt2有时候是小于VDD的，这样的设计有问题吗？

gtfei · 发表于 2024-12-23 10:41:44

DIODE保护网络只走正向导通路径，不走反向击穿哈，而正向导通的二极管IV曲线，I很大的时候V也不会太大，所以VT2小于VDD挺正常的。

凌一五八 · 发表于 2024-12-23 11:10:34

gtfei 发表于 2024-12-23 10:41
DIODE保护网络只走正向导通路径，不走反向击穿哈，而正向导通的二极管IV曲线，I很大的时候V也不会太大，所 ...

好的，谢谢

feng251402287 · 发表于 2025-1-21 16:16:54

两个串接的二极管反向击穿电压会加倍，遇到过电源电压需要范围更大的话会串接4个二极管

gcwen · 发表于 2025-4-18 18:58:20

VDD>ESD保护二极管的开启电压很正常。只要保证以下成立：
正常工作是IO电压 - VDD < Vt2（二极管开启电压）

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