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[求助] saradc的DNL和enob

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发表于 4 天前 | 显示全部楼层 |阅读模式

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求助大家,一个12bit adc,如果漏码比较多的话(20个),inl达到-10了,enob会受影响吗
发表于 3 天前 | 显示全部楼层
你觉得呢?当然啊
 楼主| 发表于 前天 10:23 | 显示全部楼层


zt_ic222 发表于 2024-11-21 17:32
你觉得呢?当然啊


我之前看有些帖子说DNL影响SNR,INL影响THD,这个怎么理解呢
发表于 前天 15:16 | 显示全部楼层


wyr 发表于 2024-11-22 10:23
我之前看有些帖子说DNL影响SNR,INL影响THD,这个怎么理解呢


第一次听说这个说法,我理解的比较浅显啊,用ramp台阶来理解DNL和INL,DNL反映的就是每一个台阶的高度,INL就是整体台阶的趋势,每一位的电容所代表的台阶高度会周期性地出现在台阶上,所以实际的INL往往呈蝴蝶状,周期反复的呈现每一阶台阶的高度变化;SNR是噪声的反应,是针对整体电路的性能反应,如果仅仅是SNR,则是不包括谐波的噪底,如果是SIAND,则将谐波也计算在内,THD就是谐波能量指标;但是实际一般使用sin信号来分析频谱,得到动态性能的SNR和THD,如果你的台阶高度不准,就是INL、DNL差,那刻画出来的sin波必然也不准,根据你刻画出来的sin波进行频谱分析,出现的谐波就多,噪底也高,因为都混在一起了,所以INL、DNL差,动态性能也会一起受到影响
 楼主| 发表于 前天 17:13 | 显示全部楼层


zt_ic222 发表于 2024-11-22 15:16
第一次听说这个说法,我理解的比较浅显啊,用ramp台阶来理解DNL和INL,DNL反映的就是每一个台阶的高度,I ...


感谢,学习一下,
 楼主| 发表于 前天 17:18 | 显示全部楼层
初步认定是漏码太多导致的动态性能差,但是按照电容的失陪计算,不应该有那么多丢码才对,出来电容mismatch还有其他因素可能导致丢码码,请教一下
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