virtuoso 版图DRC局部不报错,整版报错

Jaynamic28

版图中的一个MOScap_rf 用的TSMC工艺，一开始的错误是PO.DN3类型错误：

PO.DN.3  (BPO  density  within  POBLK.  (except  (REDNY  AND  RFIP_DMY),  MOMDMY  (155;21),  and  TCDDMY)  >=  14%
A  DENSITY  PO  POBLK  CHIP  POBLK  <  PO  DN  3  INSIDE  OF  LAYER  CHIPX  PRDIT  PO.  DM.  3.  density
[ AREA  (PO  POBLK)  /AREA  (CHIP_POBLK)  ]
A  AND  PODN3_POBLK

原始器件错误

后来因为要过DRC，自己加上了一些DUMMY，在局部的版图中过

局部修正

但发现这个方法在整版中不管用，还是报错。

整版还是报错

不知道是什么原因，有没有人遇到过类似情况，求助大佬应该怎么改

DramaFun

你不同面积情况下相同的PO，Density的数值能一样么。你先去了解一下为什么芯片会有密度的错误，再考虑解决这个问题。

Jaynamic28

DramaFun 发表于 2024-11-1 09:32
你不同面积情况下相同的PO，Density的数值能一样么。你先去了解一下为什么芯片会有密度的错误，再考虑解决 ...

那意思是密度错误只能是最后拼版的时候纠正？模块甚至分片都不用改？但总版跑DRC又很慢，不知道大佬那边是怎么解决这个矛盾的

yuxidaliumang

一般密度过小的问题底层是不用管的，但是你这个cell是不是加了blockage之类的东西，导致顶层撒不进去dummy，那就需要在底层处理掉，你这个cell明显还有很大空间可以加dummy，

xwmBrave

你查一下drc的密度检查最小区域是多大  还有就是添加dummy文件里看看po的最小面积  你这个应该是dummy文件了的最小面积比较大导致没有撒上