一道图像传感器设计工程师面试题

feynmancgz

下面是一道我在面试中经常用于区别新手（1~3年），熟手（5年左右），专家级（>10年）图像传感器设计师的面试题
现在提供出来供大家讨论吧（我不会提供答案）

如下图所示是一个CMOS图像传感器的典型QE曲线（我网上找的某公司的图），现有如下问题：(问题难度逐渐加大）
1. 为何CIS的QE曲线峰值通常在550nm波长的附近？
2. 为何CIS的QE曲线在偏红（~700nm）或者偏蓝(~400nm)的区域都会下降？
3. 在红光及NIR区域，QE曲线可能会发生很多抖动，这是为啥？
4. QE曲线在UV区域，为何在大约360nm处会有偏折？
5. 在波长>250nm时，为何最低点在大约280nm处？
6. 为何在大约230~240nm处会突然出现一个尖峰？
7. QE在峰值附近的区域的波长范围很窄(>500nm而<600nm) ，有什么办法能增加这个波长范围吗？
8. 如果我想提高UV(<400nm)区域的QE，有哪些解决办法？而这样做了，会牺牲CIS其他什么性能吗？
9. 如果我想提高NIR(>700nm)区域的QE，有哪些解决办法？而这样做了，会牺牲CIS其他什么性能吗？

                               
登录/注册后可看大图

1~3: 新手
1~6：熟手
1~9：专家
当然并不是说只有专家才能回答出所有问题，新手只要有些经验，再有思考够深入的话，也是能答出来的
当然我也见过5年以上工作经验的工程师只能准确答出来第一问的。。。
希望大家能积极讨论

nuobeierjiang

1.人眼对绿光更敏感。CIS在设计的时候会模仿人眼对不同波长光线的敏感度。绿光大概550nm
2, 蓝光波段更容易被透镜之类的结构吸收。红光波段是因为光子能量太低。
3，这个可能的问题就多了，比容工艺？透镜？不同厂家硅片，掺杂可能有差异。QE曲线抖一抖。
4，
5，这个波长下大量光子冲击的能量最终转换成内能。

本人还是这一方面的学生，对这些问题理解还没有那么深刻，希望前辈赐教哈！

小小苏666

每次拜读前辈的CMOS图像传感器系列4篇文章，都觉得醍醐灌顶，获益匪浅，感谢前辈悉心分享知识，期待前辈的CMOS图像传感器系列 - 5 早日面世，一定认真学习！


1. 为何CIS的QE曲线峰值通常在550nm波长的附近？
人眼对550nm波长附近的光最敏感，需要将QE曲线峰值设计在550nm波长附近，抗反射涂层的带宽通常会调整到这个波长附近。
2. 为何CIS的QE曲线在偏红（~700nm）或者偏蓝(~400nm)的区域都会下降？
抗反射涂层的带宽影响了蓝光和红光的QE；为减小暗电流，通常在硅表面进行外延，外延层厚度有限，波长高于600nm的光由于吸收长度大，无法在有限厚度的外延层中被吸收，造成偏红区域QE下降；波长小于400nm时，吸收长度较小，光子在靠近表面处被吸收，表面又存在很多表面态、缺陷等，这些会和光子产生的电子进行复合，电子并没有进入PPD，所以QE曲线在偏蓝区域下降。
3. 在红光及NIR区域，QE曲线可能会发生很多抖动，这是为啥？
这种fringe是由于这段波长的光在镜头、color filter、金属层、衬底等（BSI为镜头、color filter、衬底）多个面之间来回反射，引起整体反射率的变化，使得QE出现抖动。
4. QE曲线在UV区域，为何在大约360nm处会有偏折？
360nm左右的光吸收长度较小，光子在靠近表面处被吸收，表面又存在很多表面态、缺陷等，这些会和光子产生的电子进行复合，电子并没有进入PPD，所以QE曲线在360nm处有偏折。
5. 在波长>250nm时，为何最低点在大约280nm处？
在280nm-360nm之间，随波长减小，吸收长度呈减小趋势，在小于280nm时，吸收长度增加，因此在吸收长度最小的280nm处附近，光子被表面吸收的最多，QE最低。
6. 为何在大约230~240nm处会突然出现一个尖峰？
小于230nm波段的光子能量高，穿透能力强，被吸收的概率减小，因此随波长减小QE减小，大于240nm小于280nm波段的光随波长减小，吸收长度增加，不与表面态复合，QE增加，因此在230-240nm处出现尖峰。
7. QE在峰值附近的区域的波长范围很窄(>500nm而<600nm) ，有什么办法能增加这个波长范围吗？
扩展抗反射涂层的带宽。  
8. 如果我想提高UV(<400nm)区域的QE，有哪些解决办法？而这样做了，会牺牲CIS其他什么性能吗？
做表面钝化处理，减小表面态复合的概率；加了钝化层后，光子会在更深处被吸收，如果在耗尽层被吸收，产生的电子可能被临近像素吸收，降低MTF；电子也可能会被丢掉，导致QE降低；电子也可能进入FD，恶化PLS。
9. 如果我想提高NIR(>700nm)区域的QE，有哪些解决办法？而这样做了，会牺牲CIS其他什么性能吗？
增加外延层厚度，增加对红光的吸收；由于红光在更深处被吸收，电子可能被相邻像素吸收，引起crosstalk，降低MTF；电子也可能进入FD，恶化PLS。

feynmancgz

小小苏666 发表于 2024-1-30 18:01
每次拜读前辈的CMOS图像传感器系列4篇文章，都觉得醍醐灌顶，获益匪浅，感谢前辈悉心分享知识，期待前辈的 ...

Wow, 你这回答的很好啊！那我就都回复一下吧
我基本上每问答对了，我都还会有些更深入的小问题（这个我就不再回复答案了）

1. 为何CIS的QE曲线峰值通常在550nm波长的附近？
人眼对550nm波长附近的光最敏感，需要将QE曲线峰值设计在550nm波长附近，抗反射涂层的带宽通常会调整到这个波长附近。
Yes！
如果想把peak点移到400nm或700nm，该做些什么？
2. 为何CIS的QE曲线在偏红（~700nm）或者偏蓝(~400nm)的区域都会下降？
抗反射涂层的带宽影响了蓝光和红光的QE；为减小暗电流，通常在硅表面进行外延，外延层厚度有限，波长高于600nm的光由于吸收长度大，无法在有限厚度的外延层中被吸收，造成偏红区域QE下降；波长小于400nm时，吸收长度较小，光子在靠近表面处被吸收，表面又存在很多表面态、缺陷等，这些会和光子产生的电子进行复合，电子并没有进入PPD，所以QE曲线在偏蓝区域下降。
Yes！
3. 在红光及NIR区域，QE曲线可能会发生很多抖动，这是为啥？
这种fringe是由于这段波长的光在镜头、color filter、金属层、衬底等（BSI为镜头、color filter、衬底）多个面之间来回反射，引起整体反射率的变化，使得QE出现抖动。
主要是由于多层的反射造成的，但不是镜头，color filter这些造成的
这个是sensor本身的QE，不会考虑镜头；另外这是mono的QE，不会有color filter的问题

4. QE曲线在UV区域，为何在大约360nm处会有偏折？
360nm左右的光吸收长度较小，光子在靠近表面处被吸收，表面又存在很多表面态、缺陷等，这些会和光子产生的电子进行复合，电子并没有进入PPD，所以QE曲线在360nm处有偏折。
是的，这是其中一个重要的原因。但其实不是主因 还有一个原因
另外一个更深入的问题，为啥是360nm这个点? 物理上的本质原因是啥？
5. 在波长>250nm时，为何最低点在大约280nm处？
在280nm-360nm之间，随波长减小，吸收长度呈减小趋势，在小于280nm时，吸收长度增加，因此在吸收长度最小的280nm处附近，光子被表面吸收的最多，QE最低。
这个问题其实和4很像。同样，你说对了一半。
另外，为啥硅在280nm时，吸收长度是最小的？物理上的本质原因？
6. 为何在大约230~240nm处会突然出现一个尖峰？
小于230nm波段的光子能量高，穿透能力强，被吸收的概率减小，因此随波长减小QE减小，大于240nm小于280nm波段的光随波长减小，吸收长度增加，不与表面态复合，QE增加，因此在230-240nm处出现尖峰。
嗯嗯，说对了1/3的原因，算是主因之一，另外还有一个主因，和一个次因
7. QE在峰值附近的区域的波长范围很窄(>500nm而<600nm) ，有什么办法能增加这个波长范围吗？
扩展抗反射涂层的带宽。
是这样的。
但是具体怎么做能够增加这个带宽呢？ 另外，怎加了带宽，有可能会牺牲些什么？
如果要求QE始终>85%，带宽最大能做到什么程度？(这个问题非常难，具体数值不重要，重要的是理解上限和下限的bottleneck都在哪，怎么解决）
8. 如果我想提高UV(<400nm)区域的QE，有哪些解决办法？而这样做了，会牺牲CIS其他什么性能吗？
做表面钝化处理，减小表面态复合的概率；加了钝化层后，光子会在更深处被吸收，如果在耗尽层被吸收，产生的电子可能被临近像素吸收，降低MTF；电子也可能会被丢掉，导致QE降低；电子也可能进入FD，恶化PLS。
算是挨到边了，但其实还是不太对，没有解决主要矛盾。另外，UV这块儿PLS不太会出问题。
9. 如果我想提高NIR(>700nm)区域的QE，有哪些解决办法？而这样做了，会牺牲CIS其他什么性能吗？
增加外延层厚度，增加对红光的吸收；由于红光在更深处被吸收，电子可能被相邻像素吸收，引起crosstalk，降低MTF；电子也可能进入FD，恶化PLS。
增加厚度算是一个办法，那还有其他办法吗？
增加厚度确实会引起MTF下降，怎么解决呢？
PLS怎么解决呢？注意，给出的QE是BSI sensor的

voizaghan

4. QE曲线在UV区域，为何在大约360nm处会有偏折？
应该是因为到了这个波长，光子的能量就足以使电子从价带顶直接跃迁至对应相同波矢量的导带了，不需要声子辅助，吸收率变高了。

5. 在波长>250nm时，为何最低点在大约280nm处？
是因为光子能量大于了导带底与价带底之间的能量差，导致价带的电子不能被激发到导带底了，不过进一步为什么这样就导致吸收率变低还是有点模糊。
另外就是猜测是否与空穴层的厚度有关，因为一般入射面靠high-k层产生空穴积累层，同时也产生了比较强的电场使得电子能快速离开界面避免掉入陷阱。可能从连续性方程以及表面复合的角度考虑，当吸收深度小于强电场的厚度时，表面复合掉的光电子比例会趋于稳定？
280nm那个位置看起来好像是平的，不知道是不是错觉。

6. 为何在大约230~240nm处会突然出现一个尖峰？
这个是因为一个光子激发了多个电子。或者说光子能量足够高，激发了一个动能足够高的光电子之后，又碰撞电离产生了更多光电子。不过波长减小为什么又降低了就不太清楚了。

8. 如果我想提高UV(<400nm)区域的QE，有哪些解决办法？而这样做了，会牺牲CIS其他什么性能吗？
看过光伏电池方面的文章，通过给表面做一些结构（比如尖角）能够进一步增加指向表面的电场强度，能够让光电子更快离开表面避免被复合。如果强度足够且深度足够甚至能使得产生的光电子进一步被加速进而发生碰撞电子，产生大于1的QE。缺点肯定是光的散射会带来更大的光串扰。

9. 如果我想提高NIR(>700nm)区域的QE，有哪些解决办法？而这样做了，会牺牲CIS其他什么性能吗？
增加硅的厚度。或者做一些表面散射的结构，让光进入硅之后不垂直穿过硅而是在像素内多次反射，变相增加了能够被吸收的比例。不过缺点就是增加了光串扰。在DTI里面填high-k或者金属能降低光串扰。另外增加硅的厚度最好PPD的耗尽区也需要跟着加深，否则可能又影响短波的光电子收集效率；但是PPD加深又使得电子纵向转移难度加大。

本人是即将毕业的学生，一直做CIS像素方面。看大佬的帖子真心长见识又学知识，膜拜！

liuqilong8819

feynmancgz 发表于 2024-1-30 22:01
Wow, 你这回答的很好啊！那我就都回复一下吧
我基本上每问答对了，我都还会有些更深入的小问题（这个我 ...

感觉错过了CIS方向错过了好多。。。

lyx1203

想请教下楼主如果是做cis的模拟ic设计也需要懂这么多应用层面的知识吗马上就要去公司上班做cis了，之前在学校完成没有接触过这方面的内容

愚者~

请问大佬了解DVS（dynamic visoin sensor）吗?我研究生要搞这个方向