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[讨论] 除了6种二级效应,还有那些效应

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发表于 2023-12-10 20:11:44 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 蒋赵威 于 2023-12-10 20:30 编辑

文章概述了版图邻近效应的研究及应用进展,介绍了Poly-gate、High-k/Metal-gate、FinFET等不同工艺下的6种版图邻近效应二级效应,包括阱邻近效应、扩散区长度效应、栅极间距效应、有源区间距效应、NFET/PFET栅极边界邻近效应和栅极线末端效应。在此基础上,详细论述了这些二级效应的工艺背景、物理机理以及对器件电学性能的影响,归纳了目前常见的工艺改进方法。最后,从工艺角度展望了深纳米工艺尺寸下版图邻近效应的发展趋势。

浅沟槽隔离工艺对NMOS器件的影响研究_勾鹏.pdf

1.16 MB, 下载次数: 152 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

先进工艺下的版图邻近效应研究进展_王英菲.pdf

1012.24 KB, 下载次数: 147 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

发表于 2023-12-11 09:40:15 | 显示全部楼层
下来看看。
发表于 2023-12-11 09:47:56 | 显示全部楼层
看下~~~~~
发表于 2023-12-19 11:41:34 | 显示全部楼层
学习学习
发表于 2024-1-24 11:21:52 | 显示全部楼层
谢谢
发表于 2024-1-24 11:55:26 | 显示全部楼层
下来看看
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