GGNMOS的版图画法

hdqkwr · 发表于 2022-7-13 10:58:02

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对于0.5um/5V的NMOS GGNMOS，如果要过2kV，这个Gate到contact的间距一般需要多大，
这个版图有什么需要特别注意的地方吗？

shauncc21 · 发表于 2022-7-19 17:36:40

drain contact到poly gate的距离大于2基本都可以吧，0.5微米的一般无LDD，正常MOS只要total width足够一般比较容易达到2kV，具体要参考代工厂的TLP数据

linda1518b · 发表于 2022-9-1 23:11:44

也可以加RPO.另外total width也是關鍵~

u12u34 · 发表于 2022-9-16 09:53:25

GGNMOS这种常规ESD器件工艺厂都会给 ESD design rule的。因为ESD与工艺关联性很强不同工艺的参数完全没有参考价值最稳妥的还是去问fab

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