请教ESD nmos/pmos 管source端需要拉开距离吗？

viag

请假各位大虾

比如以nmos 做esd管
drain会拉开距离，加sab
那么source端呢。普通nmos管根据版图，source 端gate 边缘到source contact 距离为0.13um
那么用作esd管时，需要将此0.13um拉大么？比如过4000v hbm，需要拉大多少距离？
谢谢
pmos是不是也是如此呢？

hitzhabc

拉多大的距离，看工艺，同时要加SAB层，其目的是为了让漏区有个电阻，平均电流，防止电流泄放的时候电流集中。源区是不需要这个的。只要单边拉伸就好。PMOS也是相同的。另外，所有的这些参数都需要去工艺文件中查询。如果没有相关信息，那就咨询代工厂。

shauncc21

如果source不加SAB，单纯拉大source 端gate 边缘到source contact距离意义不大。因为Drain端镇流电阻引入，是为了抑制大电流沿着LDD尖端放电，增强ESD Robustness。source端如果只是拉距离，没用SAB引入镇流电阻，其实意义不大。

viag

多谢

airjet

记号一下，NMOS ESD

Yates

NMOS做ESD，大概率Source短接到衬底，ESD泄放路径主走寄生，处理Drain就可以了，Source一般不需要。