GGNMOS的电阻值对ESD性能有何影响

江湖人92 · 发表于 2022-5-26 17:35:00

如下图，请问GGNMOS Gate串联的电阻R0的阻值对这个ESD保护电路的影响有哪些？
BJT开启速度？ESD防护等级？······

stone1005 · 发表于 2022-5-26 19:25:45

鄙视下2信元...
这个电阻决定了MOS管开启的电压。CGD在ESD事件发生时，和电阻分压，产生VGS。从而NMOS提前开启，不需要VDS击穿。提前触发寄生三极管。一句话，就是降低VT1。

江湖人92 · 发表于 2022-5-26 19:54:35

stone1005 发表于 2022-5-26 19:25
鄙视下2信元...
这个电阻决定了MOS管开启的电压。CGD在ESD事件发生时，和电阻分压，产生VGS。从而NMOS提前 ...

非常感谢！可以再展开说下吗？电阻是越大，Vt1越小吗？

stone1005 · 发表于 2022-5-26 20:18:24

江湖人92 发表于 2022-5-26 19:54
非常感谢！可以再展开说下吗？电阻是越大，Vt1越小吗？

没啥可展开的了，单讲这个电阻，确实就是降低VT1的。之前已经说过了，CGD和这个电阻分压，从而产生VGS。ESD HBM测试条件是一定的，也就是上升沿一定，电阻越大，分压越大。

ccccy · 发表于 2022-5-27 11:02:03

江湖人92 · 发表于 2022-5-27 11:51:21

ccccy 发表于 2022-5-27 11:02
https://zhuanlan.zhihu.com/p/396019765 不知能否帮到你

好的，非常感谢！

shauncc21 · 发表于 2022-5-29 16:35:48

这个电阻的作用，就是利用MOS的Cgd和这个电阻串联，形成RC触发，降低Vt1,起到加快开启的作用，顺便问下这个是在Output的保护？

江湖人92 · 发表于 2022-5-30 11:00:21

shauncc21 发表于 2022-5-29 16:35
这个电阻的作用，就是利用MOS的Cgd和这个电阻串联，形成RC触发，降低Vt1,起到加快开启的作用，顺便问下这个 ...

非常感谢！这个是Power Clamp，不是Output Pad。

liaohero · 发表于 2022-6-10 11:13:44

跑個模擬看rc 延遲時間

江湖人92 · 发表于 2022-6-10 13:44:04

liaohero 发表于 2022-6-10 11:13
跑個模擬看rc 延遲時間

这个怎么模拟哪？

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