栅压自举开关击穿问题

晬婴 · 发表于 2022-4-30 16:24:42

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本帖最后由晬婴于 2022-4-30 16:24 编辑

小白最近刚刚接触栅压自举开关，看到了这个经典电路：

CLK为低电平时Vout和Vin断开，CLK为高电平时Vout跟随Vin。我看到有的资料说M9的作用是防止M10击穿，我不太懂这个击穿指的是G,S,D,B里面的哪两个可能被击穿，我感觉对于M9而言，M9的衬底是0，漏极（也是M7，M8的栅极）最高可达2*VDD，那岂不是M9的漏衬电压可以达到2*VDD，那M9本身不就有可能被击穿吗？
谢谢大家！

magicdog · 发表于 2022-4-30 18:50:00

请问这个“经典电路”的出处？

masony · 发表于 2022-5-2 18:07:24

没有M9，M10 Vds耐压问题

晬婴 · 发表于 2022-5-5 11:22:23

masony 发表于 2022-5-2 18:07
没有M9，M10 Vds耐压问题

没太懂您的意思，可以麻烦您再解释的详细一点儿吗，谢谢！

778084265 · 发表于 2022-11-20 09:55:15

请问这个问题解决了吗，我感觉这种开关确实有这个问题，M9漏端可产生的高压至少是Vdd+Vcm+正摆幅，不用深N阱的话，很可能就击穿了，BVgb可能还好点，这里漏衬就是个PN结啊

piao · 发表于 2022-11-20 23:54:45

看具体工艺的耐压吧

DREAMHAN · 发表于昨天 15:43

M10、M11一定会导通一个管子。如果M11导通，那么M9的VDS最大是VDD，如果M10导通M9的源端大约是VDD-VTH，也不会是两倍VDD。M9的作用是分压，保护M10。

晬婴 · 发表于昨天 20:40

本帖最后由晬婴于 2025-12-4 20:46 编辑

DREAMHAN 发表于 2025-12-4 15:43
M10、M11一定会导通一个管子。如果M11导通，那么M9的VDS最大是VDD，如果M10导通M9的源端大约是VDD-VTH，也 ...

感谢您的回复！但是M9的衬底不是接地吗？M9的漏极和衬底之间电压差不就达到了2VDD？谢谢您！

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