everspin并行MRAM芯片MR4A16BMA35适用于自动化控制器

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Everspin了解客户在工业市场中对长期数据保留和极端温度支持等功能在通常恶劣的工业环境中非常重要。该技术的固有耐用性通过避免使用其他非易失性存储器技术所需的纠错码和磨损均衡方案来简化和加速产品开发。

Everspin的16兆位非易失性存储芯片MR4A16BMA35 MRAM专为需要极高数据可靠性和速度的应用而设计，具有市场上最快的非易失性存储器、对称的读/写性能和无限的耐用性，使系统设计人员受益匪浅。这些内存功能可确保自动化设计人员在每次发生电源中断时都能确定性且安全地保留过程数据。除了性能之外，该技术还允许无电池生态设计。是一款适用于自动化控制器的存储器芯片。

Everspin MR4A16BMA35R容量为16Mb，数据结构：1Mb*16，总线速度：35ns工作电压：3.3V工作温度：C,M（-0~+70摄氏度）16位并行总线接口，数据保持期长达20年以上而不会丢失，并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护，以防止在非工作电压期间写入。这款并行mram器件能够在商业级（0至+70℃）、工业级（-40至+85℃）与扩展级（-40至+105℃）温度范围内工作，并在整个温度范围内保持高度可靠的数据存储能力。MR4A16B采用48引脚球栅阵列(BGA)小型封装和54引脚微小外形封装(TSOPII)。Everspin代理英尚微电子供样品测试及技术支持。

此款并口MRAM存储器真正无限次擦除使用，最长的寿命和数据保存时间超过20年的非挥发特性，可取代多种存储器，集闪存、SRAM、EEPROM以及BBSRAM的功能于一身，采用MRAM取代电池供电的SRAM方案，解决了电池组装、可靠性以及责任方面的问题。

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Everspin的16兆位非易失性存储芯片MR4A16BMA35 MRAM专为需要极高数据可靠性和速度的应用而设计，具有市场上最快的非易失性存储器、对称的读/写性能和无限的耐用性，使系统设计人员受益匪浅。