MOS管衬底接法

芯片小兵 · 发表于 2024-6-12 11:57:20

学些了

imefox · 发表于 2024-6-12 18:31:32

S、B短接的好处就是抑制衬偏效应，有利于提高输入共模范围，衬底电压高，Vth可能从0.7V直接飙升到1.2V，影响电路正常工作。缺点就是需要单独的阱，版图上费面积。S、B不短接的管子可以摆放到一起，合并一部分源极或者漏极的面积。

qw357 · 发表于 2024-8-2 22:03:26

本帖最后由 qw357 于 2024-8-2 22:22 编辑

cmos工艺没有独立的pwell，整个硅片都是做的p掺杂，他是把衬底当作pwell,所以nmos只能统一接到衬底。用ring隔离出一个pwell，s/b接在一起，如果S电位高,也是有漏电的。有的是在psub上长一层N外延（士兰微bcd工艺），这样可以做出独立的pwell。nwell里只放一个pmos,可以做到接到S，但这样浪费面积。

Kunst · 发表于 2024-8-14 15:17:33

感谢，学习到了

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