BCD工艺，做电阻，想隔离衬底噪声，请问，下面是做NWELL还是NBL+dnwell

thomas66 · 发表于 2021-10-2 21:07:48

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BCD工艺，做电阻，想隔离衬底噪声，请问，下面是做NWELL还是NBL+dnwell(也就是BCD常规的做MOS管的做法），如果做NWELL接什么电位？

ericking0 · 发表于 2021-10-3 10:02:34

BCD工艺常规的低压MOSFET的基本的OPTION都支持的，
可以直接放在P外延，可以放在DNW，可以放在被NBL/NSINK隔出来的P外延TUB里面；
至于接什么电位，只要没有正偏，没有LUP风险，随便你怎么接啊；
不过话说回来，很好奇你是什么电路，竟然care POLY/SUB电容couple过去的那点点sub noise；
另外芯片里面有比ground更干净的节点吗？

LXS13225665126 · 发表于 2021-10-11 14:50:21

一般不就用DNW 把nmos 隔离出来，楼主说的这个做法是什么意思啊，DNW 和NBL 可以同时使用吗 “NBL+dnwell(也就是BCD常规的做MOS管的做法）”

thomas66 · 发表于 2021-10-14 20:06:04

ericking0 发表于 2021-10-3 10:02
BCD工艺常规的低压MOSFET的基本的OPTION都支持的，
可以直接放在P外延，可以放在DNW，可以放在被NBL/NSINK ...

电路地比SUB地应该干净些吧.

thomas66 · 发表于 2022-6-20 09:12:34

LXS13225665126 发表于 2021-10-11 14:50
一般不就用DNW 把nmos 隔离出来，楼主说的这个做法是什么意思啊，DNW 和NBL 可以同时使用吗 “NBL+dnwell( ...

我是电阻下做阱，想隔离存底噪声。这个阱不知接什么电位

jzl96 · 发表于 2022-6-26 22:29:22

想问下最后怎么处理的？我觉得如果是高压电阻，nwell的电位需要特别注意一点。如果不是高压，nwell只要比gnd高都会有反向pn结来隔离称底噪声吧

kzt1993 · 发表于 2022-6-28 09:16:07

本帖最后由 kzt1993 于 2022-6-28 09:23 编辑

从物理上来说放NBL隔离就是最干净的，NBL接最高电位

chunzhilin · 发表于 2022-6-29 13:28:00

可以考虑floating

thomas66 · 发表于 2022-7-21 10:46:08

谢谢

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