关于gm/ID设计方法的疑问咨询

jcxwzy

一直想通过使用gm/Id的方法来简化设计运放；

但在实际设计过程中遇到较多的问题；

然后参考了一些国外的文献，发现他们好多用此方法设计OTA；如果是常规的一些opa，可能Av的估算并不是那么容易；

即便如下图所示的OTA设计流程中，作者得到两组lambda相乘的结果要小于0.625，但他是如何通过curve曲线得到L必须要大于260nm的？

然后各个管子的gm/Id都一一确定了大小，并没有详细的介绍；

在实际设计中可能也会较随机地选择L的值，就感觉给设计带来了很大的不确定性；

jcxwzy

在尝试两周之后，发现gm/Id的方法的优势是可以暂时将MOS管的W,L，Vdsat等参数暂时搁置；
仅需要gm/Id，1/gds 就能将MOS管的大致增益性能确定下来；

其中gm/Id，1/gds又与Vgs，L的关系可以通过扫描图像得到；

优先选取合适的gm/Id，Vgs，L；然后再确定Vds，W来确定整个MOS管；