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楼主: wrss20080407

[求助] 无放大器的bandgap性能如何?

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发表于 2021-5-31 22:58:48 | 显示全部楼层
这个本质上也是运放啊,只是是电流放大的运放而已
 楼主| 发表于 2021-6-1 09:04:52 | 显示全部楼层


juliansky 发表于 2021-5-31 22:58
这个本质上也是运放啊,只是是电流放大的运放而已


电流放大器??
这种结构量产靠谱吗?
发表于 2021-6-1 12:01:44 | 显示全部楼层


wrss20080407 发表于 2021-6-1 09:04
电流放大器??
这种结构量产靠谱吗?


靠谱的,我们产品里面用这个。
发表于 2021-6-1 15:15:48 | 显示全部楼层
如果你的offset特别大,应该去优化你的电路,而不是换结构。
换到PTAT这种,offset无非就从原来的运放换到了电流镜像这里,如果你没搞明白怎么降低offset,换个结构结果还是一一样的啊。
 楼主| 发表于 2021-6-1 18:24:02 | 显示全部楼层


fightshan 发表于 2021-6-1 15:15
如果你的offset特别大,应该去优化你的电路,而不是换结构。
换到PTAT这种,offset无非就从原来的运放换到 ...


同意你的观点哈。这几天接着搞了一下bandgap的蒙特卡洛仿真。对这两种结构做了一下对比,略微总结如下:
1.对于有放大器的带隙结构,放大器的失调(offset)是比较致命的存在,没有优化之前,一个σ达到了60mV,相反,三极管和电阻不匹配产生的影响要小很多很多。我在调试这种带隙时,增大了放大器输入管的面积和跨导,增大了负载管的面积并减小了负载管的跨导。不过版图面积受限,管子没有太大的增加。现在一个σ能达到4.5mV。
2.对于没有放大器的带隙结构,仿真结果显示其失调比有放大器的带隙结构要小一些。在没有优化之前,一个σ会有14mV左右。仍然是采用增加晶体管面积的方法来减小失调。现在一个σ也在4.2mV左右。
发表于 2021-6-24 17:19:00 | 显示全部楼层
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