MOS-AK 西安国际器件模型会议培训信息

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    今年2021年，定于8月12-13日在西安电子科技大学举办的MOS-AK 西安器件模型国际会议，在多方面沟通后，为大家带来一天的培训，日期为8月11日整天。培训课题是目前比较热门的III-V族器件GaN的射频微波电路相关的器件模型，选择GaN的主要原因基于其在制作耐高温的微波大功率方面，以及高速开关电路应用的优势。

GaN 射频/微波器件技术及 ASM-HEMT 模型的器件建模

GaN RF/Microwave Device Technology, and device modeling with ASM-HEMT model

演讲者介绍：(点击图片放大观看）

演讲内容：

9:00-12:00 GaN RF/Microwave Device Technology: 2 hours 30 mins + 30 mins (Q & A)

GaN 射频/微波器件技术:2 小时30分钟+30分钟(问答)

 GaN device operation -GaN 器件工作原理

 GaN device fabrication flow-GaN 器件制作流程

 GaN HEMT device design process and the device design tradeoffs -GaN-HEMT 器件设计过程与 器件设计权衡

 Emerging GaN device architectures -新兴 GaN 器件结构

o Self-aligned GaN devices for W-band and G-band applications -用于 W 波段和 G 波段 的自对准工艺的 GaN 器件

o Superlattice castellated three-dimensional GaN for best-in-class GaN switches-最佳 GaN 开关的超晶格蜂窝三维 GaN 器件

13:30-16:30 GaN Non-linear Device Modeling with ASM-HEMT: 2 hours 30 mins

                                + 30 mins (Q & A)

基于ASM-HEMT 的GaN 非线性器件建模:2 小时30 分钟+30分钟(问答)

 ASM-HEMT Model overview-ASM-HEMT 模型概述

 I-V modeling with ASM-HEMT-基于 ASM-HEMT 的 I-V 建模

 Non-linear large signal modeling flow with ASM-HEMT model-基于 ASM-HEMT 模型的非线性 大信号建模流程

o De-embedding methods for accurate modeling-精确建模的去嵌方法

o Small-signal modeling with ASM-HEMT-基于 ASM-HEMT 的小信号建模

o Large signal modeling with ASM-HEMT-基于 ASM-HEMT 的大信号建模

 Trapping effects in GaN HEMTs and their modeling with ASM-HEMT-陷阱效应及使用 ASM- HEMT 模拟在 GaN HEMT 器件中的体现

 GaN power amplifier circuits-GaN 功率放大电路

o Non-linearity, AM/PM nonlinearity analysis -非线性，AM/PM 非线性电路分析

o Importance of accurate field-plate modeling in GaN HEMTs- 场板精确建模在 GaN- HEMTs 中的重要性

 Circuit-Device Co-optimization with ASM-HEMT for optimal performance -基于 ASM-HEMT 的电路器件协同优化

狱火虫

演讲地点是哪里啊？

zaelste

狱火虫 发表于 2021-5-27 10:57
演讲地点是哪里啊？

西安电子科技大学北校区阶梯教学楼112报告厅, 8月11日，具体参考 http://www.xmodtech.cn/MOS-AK-Xian-2021

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西安电子科技大学北校区阶梯教学楼112报告厅

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