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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › RFID IC 设计讨论 › 请教MOS管gm随输入电压变化的问题
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查看: 1865|回复: 1

[求助] 请教MOS管gm随输入电压变化的问题

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蒹葭苍苍
发表于 2021-4-23 11:40:09 | 显示全部楼层 |阅读模式

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图中为什么当Vin=Vth+Vout时，gm达到最大？谢谢！！！ 4d3ff25cc3a728eb327c2866d4af2bd.jpg
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pdauser1002
发表于 2021-4-23 12:22:33 | 显示全部楼层
这个结构Vin愈高gm愈大，但当Vin-Vout>Vth 时，M1 将进入Triode 区，gain (gm * (ro//Rd) )反而下降。
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