新手求问，layout INV问题

4129889 · 发表于 2020-9-22 16:09:16

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最近在画INV逻辑
但是想请问的是

NIMP所包围的DIFF代表的都是N+吗?
那为什么POLY底下也有DIFF?
我在剖面图上

所看到的POLY底下是P基底
有人能帮我解惑吗?
谢谢大师

4129889 · 发表于 2020-9-22 16:12:47

还有一个问题是
为什么材料层中IMP要大于DIFF?
怎么不直接出一个P+或N+的材料层?

tuohong · 发表于 2020-9-23 09:09:07

楼主你好，我的回答在动机上没有任何说教和装B的意思，
但是你这个问题真的真的要看书。楼主这样问应该之前没有系统性的学习过半导体工艺和半导体器件、工作原理之类的课程，可以趁机会了解一下，你问的问题不用啃大部头的书，网上一些基本的教程都能讲到，大概一两天你就能搞清楚这几个问题。看书看教程能够让你了解到整个这些内容的体系，建立知识骨架，再慢慢根据需求或应用丰富知识点。
如果要说关键词的话，
第一个问号应该跟工艺制造相关，工艺流程，注入，刻蚀，开窗这些词的具体含义；
第二个问号我觉得俯视图的话可能应该是自对准，你这个剖面图的话应该就是你写的横向扩散，也属于工艺范畴；
第三句话我没太理解你的问题，是觉得nmos下面为啥是p吗？这个要看mos管的工作原理，沟道的形成，反型。
加油！

oktf141 · 发表于 2020-9-23 11:05:49

1楼正解，楼主应该从工艺制造流程看起

4129889 · 发表于 2020-9-23 13:03:03

谢谢各位大师的指教

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