bandgap输出电路cascode管分压问题

anthonywxz

xuwenwei 发表于 2020-9-1 15:35
我想问上面俩个mos管 这样连接 不应该有一个会进入线性区吗，你实际仿真的时候会吗？如果有一个进入线性区 ...

是有一个在线性区，靠近电源的那个在线性区，但是在饱和区的那个P管就差不多分走了0.4V的电压。

iamtorres9

anthonywxz 发表于 2020-9-1 15:32
所以我想问一下怎么能让P管少分一些，P管的Vdsat和Vds还有差不多200mV的余量，现在不知道怎么调节了。
...

上方的P管采用串联的形式，意在增大增效的L，用来提升BG的PSR性能。----》该种连接方式必然会使得Vdsat是一个比较大的值，对于低电源电压应用来说，不太友好。
由于输出需要在1.2V，电源1.62V。可以按照以下几种方法进行修改：
1.将串联形式的P管改成单管，降低Vdsat，在满足psr性能的前提下，得到合适的Vdsat，再计算此时的电压裕度是否足够？
2.增大N管的W/L，降低N管的Vdsat，如果可以的话，可以让N管进入亚阈值区进行设计。

xuwenwei

anthonywxz 发表于 2020-9-1 15:41
是有一个在线性区，靠近电源的那个在线性区，但是在饱和区的那个P管就差不多分走了0.4V的电压。
...

楼下说的很好，不行就用单管，降低vdsat

anthonywxz

iamtorres9 发表于 2020-9-1 15:44
上方的P管采用串联的形式，意在增大增效的L，用来提升BG的PSR性能。----》该种连接方式必然会使得Vdsat ...

感谢！之前我已经调节了N管的W/L，尽量的降低N管的Vdsat了，不过方法一还未尝试，我去试一下，非常感谢~

anthonywxz

iamtorres9 发表于 2020-9-1 15:44
上方的P管采用串联的形式，意在增大增效的L，用来提升BG的PSR性能。----》该种连接方式必然会使得Vdsat ...

电流镜调节成单管确实可以了，不过领导不让对电路进行太多修改。。。 最终还是尽量调节的N管Vdsat，以及N管栅极电压，用了折中的数值。不过还是万分感谢！

ol0930

比较好奇正常工作下这个电流镜的作用，近似cascode结构但是先进入线性区的却是靠近电源的管子，难道复制电流的效果是由远离电源的管子实现的吗？

YyuanRTs

M1/M2加大，M0用小栅长，加大。

acging

最简单可以升一点cascode gate电压，牺牲一些M1/M2的vds，当然M1/M2必须饱和区。
cascode进线性区问题不大，但必须要给够vds，至少要50mV。

anthonywxz

ol0930 发表于 2020-9-1 16:42
比较好奇正常工作下这个电流镜的作用，近似cascode结构但是先进入线性区的却是靠近电源的管子，难道复制电 ...

我感觉这个电流镜就是设置支路电流大小的，有没有其他用途不太清楚。而这种两三个串联MOS组成的电流镜一般来说确实是只有远离电源（PMOS电流镜）或者是远离地（NMOS电流镜）的那一个管子处在饱和区，其他的是线性区，不过原因我也不清楚，先还没来得及去查找相关资料，希望能有人解答一下原理或者贴一下相关资料。