出售T6WV7XBG-0002 SSM3K35CTC TCR3DM10等东芝芯片

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明佳达原装TOSHIBA《T6WV7XBG-0002》Use under 30degC/60%RH within 168h。
批号：1747+

型号：T6WV7XBG-0002

制造商：TOSHIBA

封装：DFN4


备注：全新原装
图片：



SSM3K35CTC   N沟道场效应管  东芝半导体

FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	250mA（Ta）
驱动电压	1.2V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On	1.1 欧姆 ， 150mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）	1V ， 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）	.34nC ， 4.5V
Vgs电压	±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	36pF， 10V
FET 功能	-
功率耗散	500mW（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	CST3C
封装/外壳	SC-101，SOT-883

TCR3DM10   正电压 线性稳压器IC

输出配置	正
输出类型	固定
稳压器数	1
电压 - 输入	5.5V
电压 - 输出（固定）	1.05V
电压 - 输出	-
压降	0.75V @ 300mA
电流 - 输出	300mA
电流 - 静态（Iq)	65µA
电流 - 电源	78µA
PSRR	70dB（1kHz）
控制特性	使能
保护功能	过流，超温
工作温度	-40°C ~ 85°C
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	4-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装	4-DFN（1x1）

原装有货要出，实单有价可另议，有兴趣的商友可以致电联系明佳达陈先生，我们只做原装。