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[求助] 版图中active与p active、n active层有什么区别?

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发表于 2020-4-17 20:33:19 | 显示全部楼层 |阅读模式

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版图中active与p active、n active层有什么区别?
发表于 2020-4-18 09:10:06 | 显示全部楼层
看工艺文件啊。这怎么猜?也许加工的时候变成一层mask了,只是为了画图方便,或者做drc、lvs的时候比较方便。
发表于 2020-4-18 09:26:31 | 显示全部楼层
楼上正解,要看懂design rule
发表于 2020-4-20 11:34:53 | 显示全部楼层
p active是个layer吗?
 楼主| 发表于 2020-4-21 09:39:59 | 显示全部楼层


hitzhabc 发表于 2020-4-18 09:10
看工艺文件啊。这怎么猜?也许加工的时候变成一层mask了,只是为了画图方便,或者做drc、lvs的时候比较方便 ...


非常感谢回复,因为没有实际流片,没有看过真正的设计文件,所以有很多困惑。
发表于 2020-4-21 10:11:34 | 显示全部楼层


IC从业者 发表于 2020-4-20 11:34
p active是个layer吗?


叫啥的都有,叫PP、NP的,还有直接写P或者N的。这个完全看写工艺文件的人。
发表于 2020-7-27 18:28:13 | 显示全部楼层
active就是有源区,有源区是晶体管漏区和源区建立的基础。漏区和源区是通过多晶栅两旁的有源区确定的。我只听说过p_select和n_select,MOS管的有源区是通过将杂质离子注入到p_select和n_select定义的衬底中形成的。所以选择区的面积区域稍微比有源区要大一点。
发表于 2021-7-20 22:48:34 来自手机 | 显示全部楼层
active区
发表于 2021-8-2 16:55:12 | 显示全部楼层
有接触过华宏的工艺,PMOS和NMOS没有P+  和 N+  对应的区别就是 PDIFF   NDIFF  
发表于 2024-5-26 16:49:20 | 显示全部楼层


Alanloyd 发表于 2020-7-27 18:28
active就是有源区,有源区是晶体管漏区和源区建立的基础。漏区和源区是通过多晶栅两旁的有源区确定的。我只 ...


谢谢解答
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