dummy PMOS器件，栅源漏三端都floating，会有什么问题吗

啓啟 · 发表于 2019-12-12 17:06:40

tfjim 发表于 2019-12-11 09:54
这样做法:去掉了所有的contact，管还是存在的。LVS能过吗？dummy器件不能悬空，一定要短接起来。
...

lvs是识别的mosckt这层，只要把这层拿掉，lvs就不会把这个识别成mos器件了，所以lvs可以过。
可以理解成是dummy 器件，器件栅源漏三端完全悬空，和任何电路都没有关系了。
还会有问题吗？

tfjim · 发表于 2019-12-13 13:42:45

啓啟发表于 2019-12-12 17:06
lvs是识别的mosckt这层，只要把这层拿掉，lvs就不会把这个识别成mos器件了，所以lvs可以过。
可以理解成 ...

实际上，这个管子的G端是悬空的，在芯片制造的过程中。不知道会引起什么问题。我在做的过程中都是短接起来的。建议你与工艺厂的人联系说明一下，听听他们意见。或者就这样做，为了验证自己的想法是没有风险的。

WXEK狂 · 发表于 2020-3-10 16:32:57

会积累电荷。

bing_bing · 发表于 2020-3-10 17:21:54

咨询fab吧

小小书生 · 发表于 2021-2-23 15:59:08

这样做的话GT的电位是不确定状态，绝对不行啊。。。。

jaydenwu · 发表于 2021-7-22 15:15:52

尽量不要完全浮空，这样会导致电荷没有泄放的路径，很难实现电荷的转移，再说LVS也很难通过。

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