N通道晶体管IPW65R110CFDA和BCM88673CB0KFSBG

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星际金华供应 N通道晶体管IPW65R110CFDA和BCM88673CB0KFSBG：

规格：
FET 类型        N 通道
技术        MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）        650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）        31.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）        10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）        110 毫欧 @ 12.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）        4.5V @ 1.3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）        118nC @ 10V
Vgs（最大值）        ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）        3240pF @ 100V
FET 功能        -
功率耗散（最大值）        277.8W（Tc）
工作温度        -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型        通孔
供应商器件封装        PG-TO247-3
封装/外壳        TO-247-3


特征：
超快体二极管
非常高的换向坚固性
由于FOM Rdson * Qg和Eoss极低，因此损失极低
易于使用/驱动
绿色包装（符合RoHS要求），无铅电镀，模塑料不含卤素


应用：
专为开关应用而设计

星际金华提供 N通道晶体管IPW65R110CFDA和BCM88673CB0KFSBG 有意者，欢迎咨询！