供应AUIRB24427STR和AUIRFS8409-7TRL

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AUIRB24427STR 栅极驱动器
规格

驱动配置	低压侧
通道类型	独立式
驱动器数	2
栅极类型	N 沟道 MOSFET
电压 - 电源	5V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH	0.8V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）	6A，6A
输入类型	非反相
上升/下降时间（典型值）	33ns，33ns（最大）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装	8-SOIC

AUIRFS8409-7TRL 单N沟道晶体管
规格：

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	240A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	0.75 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	460nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	13975pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	375W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	D2PAK（7-Lead）
封装/外壳	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）

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