Steven H. Voldman博士静电放电（ESD）领域的第一位IEEE Fellow，基于对CMOS、绝缘体上硅和硅锗技术的ESD保护贡献。他1979年在布法罗大学工程科学专业获得学士学位;1981年获得来自麻省理工学院（MIT）EE第一个硕士学位;1986年获得第二个 Engineering Physics硕士学位，1991年获得佛蒙特大学电子工程博士学位，隶属于IBM的驻地研究员项目。Voldman是IBM、Qimonda、Intersil、TSMC、三星电子公司和Silicon Space Technology / VORAGO Corporation的半导体开发成员。他的研究和开发包括软错误率（SER）、宇宙射线、栅极感应漏极泄漏机制、DRAM泄漏、闩锁、ESD和EOS。
他发起了一个大学讲座计划，旨在为国际大学教师和学生带来讲座和互动;该计划已覆盖美国、韩国、新加坡、台湾、马来西亚、菲律宾、泰国、印度、塞内加尔、斯威士兰和中国的45所大学。 Voldman博士讲授关于ESD、闩锁、专利和发明的短期课程。 Voldman博士负责启动ESD学生章节章程，并与电子科技大学合作建立了第一个ESD协会学生章节。
Voldman博士是关于ESD、EOS和闩锁的第一本系列著作的作者（十本书）：ESD：物理与器件；ESD：电路与器件；ESD：电路与器件第二版；ESD：射频（RF）技术与电路；闩锁；ESD：失效机制与模型；ESD设计与综合；ESD基础：从半导体制造到产品使用；电过载（EOS）：器件、电路与系统；ESD：模拟电路与设计；ESD测试：从组件到系统；以及“硅锗：技术、建模和设计以及纳米电子：纳米线、分子电子和纳米器件”一书的撰稿人。此外，还有国际中文版的ESD：电路与器件；ESD：射频（RF）技术与电路；ESD设计与综合（2014）。
他是260项美国专利的获得者，并在ESD和CMOS闩锁方面撰写了150多篇技术论文。自2007年以来，他一直担任专利诉讼的专家证人;并且还成立了有限责任公司（LLC）咨询业务，支持专利、专利撰写和专利诉讼。在他的有限责任公司中，Voldman担任DRAM开发、半导体开发、集成电路、软件和静电放电案件的专家证人。他目前正在为律师事务所和技术公司撰写专利。 Steven Voldman在马来西亚、斯里兰卡和美国提供有关发明、创新和专利的教程和讲座。
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发表于 2018-10-12 13:28:54
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