MOS dummy的L一定要和器件L一样大吗，L可以小一些吗？？？？？？

青青。子衿 · 发表于 2017-9-7 14:25:57

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每天甩油的猪 · 发表于 2017-9-7 15:04:53

可以的

yhd316 · 发表于 2017-9-7 15:38:45

大工艺问题不大小工艺可能有sti效应的影响希望离边界远点。比较重要的mos 还是希望一样

赵洁 · 发表于 2017-9-7 15:44:05

可以小一些，但是宽必须一样

巧克力的冬天 · 发表于 2017-9-8 11:58:21

可以小些

smilodon · 发表于 2017-9-9 08:57:51

不需要！dummy是为了保持刻蚀时候一致性，sti或者wpe在阱边缘再考虑

[求助] MOS dummy的L一定要和器件L一样大吗，L可以小一些吗？？？？？？