关于MOS管和BJT的耐压问题

zixin1hao · 发表于 2017-4-23 22:20:01

回复 10# peterlin2010

围观学习。。。谢谢！

知足0824 · 发表于 2017-4-24 16:25:07

回复 10# peterlin2010

设计文档里面Vsb和Vdb都没有给，也没有给管子耗散功率的相关指标

BlackAnalog · 发表于 2021-8-9 16:45:34

顶一下，学习了

BlackAnalog · 发表于 2021-8-12 22:16:27

顶一下，再次学习

tvsz123456 · 发表于 2023-1-31 16:42:33

学习一下，谢谢

flourish88 · 发表于 2024-8-3 09:56:49

谢谢各位大佬解答

MarkDouglas · 发表于 4 天前

本帖最后由 MarkDouglas 于 2024-11-20 11:13 编辑

peterlin2010 发表于 2017-4-23 19:31
BCD process vgs =LV Ds hi Volt

vgs < 5v

前辈，我有疑问想请教。如果Vgs=5V，Vds=40V，那么Vgd不是远远超过5V了吗？G和D之间不是也是oxide吗，那么会不会击穿呢？
LDMOS应该没有问题，有drift区，但是普通MOS，这个类似的问题应该如何解答呢？

peterlin2010 · 发表于 3 天前

MarkDouglas 发表于 2024-11-20 11:08
前辈，我有疑问想请教。如果Vgs=5V，Vds=40V，那么Vgd不是远远超过5V了吗？G和D之间不是也是oxide吗，那么 ...

cmos 有 bv_vgs bv_vds bv_vgd

一般 5v oxide mos

oxide 是 gate -> bulk

MarkDouglas · 发表于 3 天前

peterlin2010 发表于 2024-11-21 06:12
cmos 有 bv_vgs bv_vds bv_vgd

一般 5v oxide mos

谢谢前辈，我还有疑问，普通MOS的Gate和Drain不是有overlap嘛，那oxide的一部分不是在Gate--Drain上嘛？
那我在关断一个5VNMOS的时候(S、G、B=0)，这时候D端加超过5V是不是会达到oxide的耐压呢？

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