DFT 如何处理 SRAM 的modeling问题--输出端的DRC问题

Horizon00 · 发表于 2017-1-11 22:13:47

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如题，我在设计中用了两个SRAM，SRAM用MBIST工具做了Bypass电路，然后加到DFT工具中做DFT，可是软件却在SRAM的Q输出端口报告有DRC的违反：mimo_inst/word1568_sram_c_inst/sadslsck41p1568x32m8b1w0c0p0d0t0_bist_sadslsck41p1568x32m8b1w0c0p0d0t0_block_instance_0/sadslsck41p1568x32m8b1w0c0p0d0t0_instance_0 (Cell mimo_inst/word1568_sram_c_inst/sadslsck41p1568x32m8b1w0c0p0d0t0_bist_sadslsck41p1568x32m8b1w0c0p0d0t0_block_instance_0/sadslsck41p1568x32m8b1w0c0p0d0t0_instance_0 (sadslsck41p1568x32m8b1w0c0p0d0t0) is unknown (black box) because functionality for output pin Q[0] is bad or incomplete.)

我打开电路看了一下，发现电路中的确是有bypass电路的，下图中MUX的一端接到SRAM的输出端Q端，另一端接到Bypass电路中寄存器的输出上。

整个电路的原理图相当于下面的情况，我设计中的Q[0]相当于图中画圈的地方：

SRAM的这些输出端口在DFT中应该是无法控制和观测的，因此降低了测试覆盖率，整个设计的tc只有50%左右。这些问题可以解决吗？还是说DFT中是无法解决这些问题的呢？

请各位大牛帮忙看下，多谢了

Horizon00 · 发表于 2017-1-12 09:19:24

先自顶一下，望各位大神指教

风信子yiyi · 发表于 2017-1-15 21:34:44

set_case_analysis test_mode 1,将控制bypass的信号端口设定为常数。另外在ATPG中也是需要将sram设定为black box.所以这个violation可以忽略。但那个case必须设定

Horizon00 · 发表于 2017-1-17 11:40:08

回复 3# 风信子yiyi

好的，非常感谢

我试试看

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