芯片内部电流与芯片内部温升

zhengjq01 · 发表于 2016-4-23 14:17:15

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本帖最后由 zhengjq01 于 2016-4-23 14:18 编辑

芯片内部电流上升与芯片温升（不同封装大小不同）的关系，诚心请教！当在做电源管理IC时，温升导致带载能力的下降，希望以此在系统设计时选择合理HVMOS(导通电阻值)。

夜冷了 · 发表于 2016-4-24 11:25:51

好像楼主说的是功率管选择的问题吧

zhengjq01 · 发表于 2016-4-24 15:09:14

本帖最后由 zhengjq01 于 2016-4-24 15:10 编辑

回复 2# 夜冷了
算是吧，IDM设计模式，在没有模型的情况下想做一个内阻较小的HVMOS，以便使芯片正常工作时内部温度低一些。但是导通电阻和面积需要折衷考虑，没有模型可以用来仿真，所以请教电流与温升的关系，比如电流上升1ma 温度大概升高多少？这样就可以估算最大带载时电阻！

silverpuma · 发表于 2016-4-25 15:58:32

测试吧，根据测试值来调试，一开始设计没有太多参考的。

[讨论] 芯片内部电流与芯片内部温升

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