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楼主: 侯门似海

[求助] 大神门,这是什么器件

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 楼主| 发表于 2015-11-30 16:07:32 | 显示全部楼层
回复 30# bgd_wang
IMG_20151130_155624.jpg 不知道是你没看懂问题还是怎么回事,一般结构是左边的,沟道什么的很容易看出,沟道是直线的没什么说的。但第二种你也觉得是一样?不知道是你对器件的理解有问题还是要颠覆我的认知
发表于 2015-12-2 11:08:51 | 显示全部楼层
最后一次回复,希望能给你讲明白。先要明白照片中哪儿是有源区(即ative)。active 又叫diff ,又叫thin oxide,它对应于场氧,比较薄,目的是inp 扩散后 足够薄的active的地方能有形成mos的条件,场氧的地方不会,poly 铺上去,经过active的地方因为氧化层薄,低压可以感应载流子,场氧因为厚,无法感应。所以并不是所有poly覆盖的地方就是管子。比如很多管子也可以用poly来连线。判断是不是一个管子就要找到哪儿是ative。再来讲讲你的照片。先看poly层那张,我们可以看到N阱区,poly层,ative层(颜色和衬底差不多)以及通孔(con)。你之前问将为什么载流子不能直接最按你画最短的路径流动,因为除了起点和终点(即S和D)属于有源区,中间部分是场区!而场区是什么,厚厚的sio2做成的,那是不能导电的!它用来隔离mos管的。再看染色层那张,这时我们已经看不到poly了,能看到N阱,N注入和P注入。你可以把那个弯曲的路径看作是有源区。说到底,这个管子有什么特别之处,就是它的ative很窄,做成了弯曲的蛇形,这样做的目的是什么,W很小,而L可以做的较大,导致W/L很小,故而MOS管表现为是一个较大的电阻。最后再说一点,顶层的poly为什么画成方形,其实也可以像ativce一样画出蛇形,只要它比ative稍微凸出来来一些,如果画成那样,相信你就不会有什么困惑了。这样会由于poly间距问题会导致相同尺寸的MOS面积更大!最后附上一张我草草画的图,它与你给的图唯一区别就是POLY没有全部覆盖,而是跟随active画出蛇形
发表于 2015-12-2 11:22:25 | 显示全部楼层
回复 1# 侯门似海


   应该是电阻
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