请问3.3v电源下，如何只用2.5v的MOS管实现LDO，管子不被击穿

mk2003

一般来说， LDO 你需要保证的是P管  nwell 最小耐压要大于3.3，然后保证你功率管vgs 在2.5V 内就OK了。不过听你这么说，应该是0.13 或者0.18工艺？一般都有2.5 od 3.3V的管子，不放心叫给od 3.3  mod，不过一般2.5 超压到3.3 也没撒 问题。

michang5342

回复 6# lvwei_1024

串联二极管不是很好的办法。因为这样会让用2.5V 元件来做3.3V转2.5V LDO的小面积优势消失。因为,用2.5V 的MOS 做LDO, 面积会比用3.3V MOS 小很多。你仔细想想,3.3V转2.5V , 代表MOS上drain 与source 的跨压(Vds) 只有3.6-2.5=1.1V, Vds 没有过压的问题。主要问题在于bias 电路与LDO 的passing element.
Passing element 就是一个PMOS, 当PMOS 要off 时,Vgs=0V, 没有跨压问题。当LDO的电流输出增加时,如果Vgs超过3V以上,就会有reliability 的问题。
如何把passing element 的Vgs clamp 在安全电压以内才是这个电路的设计要领。

fuailiu

你好，请问你设计出来了吗？

122013137

具体什么情况哪一个节点会有高压