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[求助] smic或者tsmc工艺130nm,NMOS的VGS大于多少的击穿电压？

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xidianmhp
发表于 2015-9-24 14:02:01 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我们反向了一颗芯片，发现在电压为2.3V的时候，使用NMOS作为电容使用，栅接高电位，源漏与衬底接低电位，并且使用的是低压管，栅氧厚度比较薄，这样会不会击穿？
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