MOS超压工作

nihaobuhaoa · 发表于 2015-6-30 16:11:17

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请教下，tsmc或者umc的55nm标准CMOS工艺下，IO MOS额定电压是3.3V如果必须要工作在4.2V下和5V下，那么IO MOS的Length必须最小取多少呢？
大家有这方面的经验吗？
谢谢！

semico_ljj · 发表于 2015-6-30 21:40:06

不可取，特别是产品，自己没事试验玩，可以！

产品有生命周期，超出规定的范围，良率，生命期都会大大缩短。甚至直接不工作

peterlin2010 · 发表于 2015-6-30 22:04:43

请教下，tsmc或者umc的55nm标准CMOS工艺下，IO MOS额定电压是3.3V如果必须要工作在4.2V下和5V下，那么IO MO ...
nihaobuhaoa 发表于 2015-6-30 16:11

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如果是 gate 那没法 3.3v
你超过就是会有风险除非是实验使用

如果 drain
那拉开 space , junction 间都拉开
BCD process LDMOS 都是不同耐压不同距
但是 GATE 是没法超过

不过你可以电阻分压

但是 resistor 能耐得住

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