在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 5538|回复: 1

[转载] 韩政府批准三星在华建立NAND闪存芯片工厂

[复制链接]
发表于 2012-1-4 20:46:14 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x



据报道,韩国知识经济部4日表示,已批准三星电子在华设立10纳米级闪存(NAND Flash)工厂的申请。三星电子因此可以开始选址,将于今年上半年开始建厂,目标在明年下半年投产。
有韩国分析师估计,三星电子此举可能会投资40亿美元。
韩国政府要求,为防止国家核心技术非法泄漏,三星电子将制定和执行技术保护对策,并定期对保护情况进行评估。还要求三星制定补充对策,减少此次对中国投资可能给国内经济带来的负面影响。三星电子则承诺继续扩大在韩国国内的半导体投资。
发表于 2012-1-4 22:22:44 | 显示全部楼层
不错啊,在哪里,欢迎啊
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-24 15:37 , Processed in 0.024400 second(s), 10 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表