关于LNA匹配的疑问

lgy747

回复 10# rookie_dsm


    1)这是一个反映基本原理和概念的式子，不是精确式，它忽略了Rs，Rg，Cs，gmb，适合手工估算，和实际及仿真不完全吻合的，一切实际的MOS管都有寄生Rs，Ls，Rg，所以实部不会完全=0，在ft很高的情况下尤其如此。RF MOS管模型本身就含有Ls，即使外部直接接地
2）实际元件组成的匹配网络，不可能是无耗的，或多或少一定有实数分量的，L，C模型都含有R或G
3）实部全部由寄生Rs，Ls，Rg贡献，工艺一点点的偏差就会引发大幅变化，这不是一个好的设计思路

fengtang2332

回复 10# xcairfic


    在本帖中，您提到了栅电阻，那么，请教一下，栅上的等效电阻，一般在Gohm量级上，是吗？
    谢谢。

totowo

即使没有Ls，LNA的输入阻抗也会有一定的实部存在，其实最主要不是因为栅电阻，而是由于Cgd的存在
楼主可以简单推一下，很多rfic的讲义上有，考虑Cgd、gm、(ro//Cds)，不难推出实部的存在。

理论上单纯用片外元件，在单个频点肯定是可以匹配到15 ohm的。
但如果是要从一个很大的阻抗直接转到50ohm，Q值很高会带来问题（前面buckaroo也提到了，我这里再具体说一下）
1.  匹配网络的Q值越高，单纯片外电感的Q值的带来的损耗就越大，不利于噪声系数，一般片外的电感在几个g的频率下，Q值也就30～50之间。
2.  粗略讲，匹配网络的Q值越高，S11<-10dB（或-15dB)的带宽就越窄，即使是窄带通信系统，在考虑到PVT corner，以及片外元件通常的5~10% variation情况下，未必能全部cover。如果你要做产品，这是不可接受的，除非你只是发paper。
3.  如果用多级级联来降低Q，用的电感数目就会增加，带来的Q值损耗和成本也会显著增加，测试时也更不方便，更没人这么干。

即使对于窄带系统，一般片外的匹配网络Q值不要超过7～8。如果宽带就更要注意了。

如果没有LS，LNA输入阻抗是容性，考虑栅电阻，等效并联阻抗很大，几k，这样匹配至50ohm的话，片外网络Q
很 ...
xcairfic 发表于 2011-6-16 22:28

                               
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totowo

现在的深亚微米，28/40/55nm，Ft足够高
很多产品里的LNA都是inductorless，NF也都足够用了，看看MTK每年的isscc paper就知道了

回复  lgy747


我做LNA也流过几次片，感觉没有用源极负反馈电感的情况下也没有出现匹配困难，噪声系数 ...
rookie_dsm 发表于 2011-6-16 18:00

                               
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james5168qoo

感谢分享~

sc_filter_2014

回复 14# totowo


    你好 可否告知是哪年的isscc论文 我把2011 2012 2013 2014 2015的都找了也没找到 如果能提供下载地址 万分感谢啊！

totowo

ISSCC2014---20.7  <A Multi-Band Inductor-Less SAW-Less 2G/3G-TDSCDMA Cellular Receiver in 40nm CMOS>
ieee上随便一搜induct less LNA就有无数paper了

回复  totowo
    你好 可否告知是哪年的isscc论文 我把2011 2012 2013 2014 2015的都找了也没找到 如 ...
sc_filter_2014 发表于 2015-7-7 23:09

                               
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